Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

Servando Baceiredo

Theses Year : 1981

Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

(1)

Servando Baceiredo

Function : Author

Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Abstract

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Keywords

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Micro and nanotechnologies/Microelectronics

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https://theses.hal.science/tel-00178837

Submitted on : Friday, October 12, 2007-12:03:52 PM

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tel-00178837 , version 1 (12-10-2007)

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HAL Id : tel-00178837 , version 1

Cite

Servando Baceiredo. Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1981. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00178837⟩

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Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

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