Contribution à l'étude de l'influence des centres recombinants sur les performances électriques des redresseurs de puissance
Résumé
ETUDE PORTANT SUR LES MOYENS DE CONTROLE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LE SILICIUM, LES METHODES ELECTRIQUES DE MESURE DE CE PARAMETRE PHYSIQUE ET L'EVALUATION DE L'IMPACT DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS SUR LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES REDRESSEURS P I N DE PUISSANCE. DANS LE 1ER CHAPITRE ON CONSIDERE LES DIFFERENTES IMPURETES METALLIQUES ET DEFAUTS QUI SONT UTILISES POUR LE CONTROLE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE AU SILICIUM. DANS LE 2EME CHAPITRE ON EFFECTUE UNE ANALYSE COMPARATIVE DES DIFFERENTES METHODES ELECTRIQUES DE MESURE DE LA DUREE DE VIE SUR LES DIODES P I N DE PUISSANCE. DANS LE 3EME CHAPITRE ON ETUDIE L'INFLUENCE DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS SUR LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES REDRESSEURS P I N.
Indisponible
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)