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V. Le, débouchera néanmoins sur un défaut moins profond (Egap = 0,37 eV) et

, Ils occupent tous deux, les coins de la pyramide à base carrée de Sb mais leurs longueurs de liaisons sont différentes (Figure 3 -4). Le dernier site cristallographique en Se substitué par un Sb, vol.33

, Les nombres sur les courbes correspondent aux états de charge de la cellule (charge q), le crochet pointillé indique la limite de dopabilité. la composition de base. Dans l'étude initiale, visant à faire croitre des cristaux dans un verre de composition 40GeSe2-40Sb2Se3-20CuI, les deux atomes dopants les plus probables sont l'iode et le cuivre. De par leur nature ionique, nous estimons que l'iode se substituera au sélénium et le cuivre à l'antimoine. Ces deux possibilités sont modélisées par la suite, Enthalpie de formation des défauts probables pour un excès d'antimoine

, D'autres alternatives, en cours de synthèse

, Dans un premier temps, nous envisageons des dopages anioniques ayant lieu en position interstitielle (comme définie préalablement), ainsi que par substitution du sélénium, pour chaque site cristallographiquement inéquivalent

, Si expérimentalement nous pouvons nous trouver en condition d'atmosphère plus éloignées de la limite de cristallisation de Sb, alors l'énergie de formation devrait

, Enthalpie de formation des défauts anioniques dans Sb2Se3 : substitution du sélénium par du soufre. Les nombres sur les courbes correspondent aux états de charge de la cellule, pp.4-17

, Dans ce cas, les substitutions possèdent des enthalpies faibles (? 1 eV), induisant une forte concentration de ce défaut, et sont très proche de la bande conduction (?(+1/0) ? 1,2 eV). De plus le comportement est identique quel que soit le site cristallographique substitué, périodique : il dispose d'un électron de plus que le sélénium

, Enthalpie de formation des défauts anioniques dans Sb2Se3 : substitution du sélénium par du brome, brome en position interstitielle. Les nombres sur les courbes correspondent aux états de charge de la cellule, pp.4-18

, De plus, la limite de dopabilité à 0,42 eV de la BV bloquera l'apparition d'un

, représenté sur la Figure 4 -19, est un autre halogène à considérer, avec un électron de plus que le soufre. Le chlore en site de sélénium devrait permettre d'obtenir un SCn. En effet, ce défaut est abondant, car l'enthalpie de la même façon, p.20

, Néanmoins, s'il est en position interstitielle alors il permet d'obtenir facilement un semi-conducteur p mais avec une faible conductivité

, Figure 4 -23) extrêmement perturbée, avec une distribution du poids spectral majoritairement inférieur à 0,4. Sauf au niveau de la BV (> 0,8) qui ne subit aucune perturbation électronique. L'étude précédente a démontré que le défaut SSe est un SCn qui devrait, de fait, impacter plus fortement la BC que la BV, Il possède une structure de bandes

, Structures de bandes et IPR autour du gap pour un dopage par substitution du sélénium par du soufre. NB : La distribution du poids spectral est rappelée à droite, pp.4-23

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