H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett, vol.15, p.327, 1969.

, The Nobel Prize in Physics, 2014.

H. Amano, N. Sawaki, I. Toyoda, and . Akasaki, Appl. Phys. Lett, vol.48, p.353, 1986.

H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys, vol.28, p.2112, 1989.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys, vol.31, p.139, 1992.

S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett, vol.64, p.1687, 1994.

Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. phys. D: Appl phys, vol.43, p.354002, 2010.

S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.35, p.217, 1996.

M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys, vol.79, p.7433, 1996.

M. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm et al., Appl. Phys. Lett, vol.65, p.1121, 1994.

Y. Développement and K. ,

Y. Muramoto, M. Kimura, and S. Nouda, Semicond. Sci. Technol, vol.29, p.84004, 2014.

M. , III-Nitride Ultraviolet Emitters, 2016.

H. Morkoç, Handbook of nitride semiconductor and devices, vol.1, 2009.

F. , Etude optique de boîtes quantiques uniques non polaires de GaN/AlN, 2007.

B. Gil, Group III Nitride Semiconductor Compounds physics and Applications, 1998.

H. Morkocî, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov et al., J. Appl. Phys, vol.76, issue.3, p.1363, 1994.

H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.37, p.1540, 1998.

T. Kashima, R. Nakamura, M. Iwaya, H. Katoh, S. Yamaguchi et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.38, p.1515, 1999.

M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano et al., Appl. Surf. Science, vol.159, p.405, 2000.

L. Vegard, Z. Phys, vol.5, p.17, 1921.

M. Khoury, Metal Organic Phase Epitaxy of Semipolar GaN on Patterend Silicon Substrates, 2016.

M. Kamp, C. Kirchner, V. Schwegler, A. Pelzmann, K. J. Ebeling et al., Mat. Res. Soc. Symp.Proc, vol.537, issue.2, 1999.

B. Daudin, J. L. Rouvière, and M. Arlery, Appl. Phys. Lett, vol.69, p.2480, 1996.

S. K. Davidson, J. F. Falth, X. Y. Liu, H. Zirath, and T. G. Anderson, J. Appl. Phys, vol.98, p.16109, 2005.

O. Ambacher, J. Phys. D: Appl. Phys, vol.31, p.2653, 1998.

J. F. Nye, Physical Properties of Crystals, 1985.

A. F. Wright, Journal of Applied Physics, vol.82, p.2833, 1997.

K. Kim, R. L. Walter, B. Lambrecht, and . Segall, Physical Review B, vol.53, p.16310, 1996.

C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann et al., Applied Physics Letters, vol.72, p.2400, 1998.

L. E. Mcneil, M. Grimsditch, and R. H. French, Journal of the American Ceramic Society, vol.76, p.1132, 1993.

A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, Journal of Applied Physics, vol.79, p.3343, 1996.

A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys Rev B, vol.64, p.45208, 2001.

F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Stat. Sol. (a), vol.190, p.65, 2002.

V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett, vol.80, p.1204, 2002.

F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B, vol.56, p.10024, 1997.

O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann et al.,

L. F. Schaff, R. Eastman, A. Dimitrov, M. Mitchell, and . Stutzmann, J. Appl. Phys, vol.87, p.334, 2000.

E. and F. Schubert, Light-emitting diodes, 2006.

M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil et al., Phys. Rev. B, vol.58, p.13371, 1998.

R. Dingle, D. D. Sell, S. E. Stokowski, and M. Ilegems, Phys. Rev. B, vol.4, p.1211, 1971.

T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Sota, K. Asai, S. Sumiya et al., Appl. Phys. Lett, vol.81, p.652, 2002.

B. Gil, O. Briot, and R. Aulombard, Phys. Rev. B, vol.52, p.17028, 1995.

I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys, vol.94, p.3675, 2003.

M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi et al., Phys. Stat. Sol. (b), vol.234, p.887, 2002.

Y. P. Varshni, Physica, vol.34, p.149, 1967.

J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Shan, J. Yu, I. Ager et al., J. Appl. Phys, vol.94, p.4457, 2003.

Y. Li, Y. Lu, H. Shen, M. Wraback, M. G. Brown et al., Appl. Phys. Lett, vol.70, p.2458, 1997.

S. Tripathy, R. K. Soni, H. Asahi, K. Iwata, R. Kuroiwa et al., J. Appl. Phys, vol.85, p.8386, 1999.

Q. Guo and A. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys, vol.33, p.2453, 1994.

T. Wethkamp, K. Wilmers, C. Cobet, N. Esser, W. Richter et al., Phys. Rev. B, vol.59, p.1845, 1999.

G. Derra, H. Moench, E. Fischer, H. Giese, U. Hechtfischer et al.,

P. Noertemann, J. Pekarski, A. Pollmann-retsch, U. Ritz, and . Weichmann, J. Phys. Appl. Phys, vol.38, p.2995, 2005.

Y. Muramoto, M. Kimura, and S. Nouda, Semicond. Sci. Technol, vol.29, p.84004, 2014.

Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D Appl. Phys, vol.43, p.354002, 2010.

M. Kneissì, UVKneissì`UV LED Efficiency, 2015.

, /publication/280131929, 2015.

S. Nitta, Y. Yukawa, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano et al., Phys. Stat. Soli. (a), vol.194, p.485, 2002.

. Chapter, Overview on nitrides for ultraviolet emission, vol.37

M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo et al.,

N. M. Yang, M. Johnson, and . Weyers, Semicond. Sci. Technol, vol.26, p.14036, 2011.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Elmaghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

V. N. Jmerik, D. V. Nechaev, S. Rouvimov, V. V. Ratnikiv, M. V. Kopev et al.,

M. Yahlonskii, A. Aljohenii, A. Aljerwii, S. V. Alyamani, and . Ivanov, J. Mater. Res, vol.30, p.2871, 2015.

D. V. Nechaev, P. A. Aseev, V. N. Jmerik, P. N. Brunkov, Y. V. Kuznetsova et al., J. Cryst. Growth, vol.378, p.319, 2013.

J. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, Y. Bilenko et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.44, p.7250, 2005.

H. Hirayama, T. Yatabe, N. Noguchi, T. Ohashi, and N. Kamata, Appl. Phys. Lett, vol.91, p.71901, 2007.

M. Nemoz, R. Dagher, S. Matta, A. Michon, P. Vennéguès et al., J. Cryst. Growth, vol.461, p.10, 2017.

J. R. Grandusky, S. R. Gibb, M. C. Mendrick, C. Moe, M. Wraback et al., Appl. Phys. Express, vol.4, p.82101, 2011.

H. Wang, J. Zhang, C. Chen, Q. Fareed, J. Yang et al., Appl. Phys. Lett, vol.81, p.604, 2002.

J. P. Zhang, H. M. Wang, M. E. Gaevski, C. Q. Chen, Q. Fareed et al., Appl. Phys. Lett, vol.80, p.3542, 2002.

Y. Liao, C. Thomidis, C. Kao, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett, vol.98, p.81110, 2011.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, M. Korytov, D. Rosales et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.55, pp.5-06, 2016.

C. Himwas, R. Songmuang, L. S. Dang, J. Bleuse, L. Rapenne et al., Appl. Phys. Lett, vol.101, p.241914, 2012.

S. M. Islam, V. Protasenko, K. Lee, S. Rouvimov, J. Verma et al., Appl. Phys. Lett, vol.111, p.91104, 2017.

V. N. Jmerik, E. V. Lutsenko, and S. V. Ivanov, Phys. Stat. Sol. (a), vol.210, p.439, 2013.

Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature, vol.441, p.325, 2006.

T. Takano, T. Mino, J. Sakai, N. Noguchi, K. Tsubaki et al., Appl. Phys. Express, vol.10, p.31002, 2017.

N. Tran, B. Le, S. Zhao, and Z. Mi, Appl. Phys. Lett, vol.110, p.32102, 2017.

A. Fujioka, T. Misaki, T. Murayama, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Express, vol.3, p.41001, 2010.

H. Hirayama, Y. Tsukada, T. Maeda, and N. Kamata, Appl. Phys. Express, vol.3, p.31002, 2010.

R. France, T. Xu, P. Chen, R. Chandrasekaran, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett, vol.90, p.62115, 2007.

B. Zhang, W. Lin, S. Li, Y. Zheng, X. Yang et al., J. Appl. Phys, vol.111, p.113710, 2012.

N. Maeda and H. Hirayama, Phys. Stat. Sol. (c), vol.10, p.1521, 2013.

T. H. Seo, B. K. Kim, G. Shin, C. Lee, M. J. Kim et al., Appl. Phys. Lett, vol.103, p.51105, 2013.

T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett, vol.84, p.466, 2004.

M. Kneissl and J. Rass, III Nitride ultraviolet emitters, 2016.

M. Ichikawa, A. Fujioka, T. Kosugi, S. Endo, H. Sagawa et al., Appl. Phys. Express, vol.9, p.72101, 2016.

K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett, vol.84, p.5264, 2004.

Y. Zhang, S. Krishnamoorthy, F. Akyol, A. A. Allerman, M. W. Moseley et al., Appl. Phys. Lett, vol.109, p.121102, 2016.

X. Rong, X. Wang, S. V. Ivanov, X. Jiang, G. Chen et al.,

V. N. Albrecht, A. A. Jmerik, V. V. Toropov, V. I. Ratnikov, V. P. Kozlovsky et al., Adv. Mater, vol.28, pp.7978-7983, 2016.

F. Tabataba-vakili, T. Wunderer, M. , Z. Yang, M. Teepe et al.,

J. , Appl. Phys. Lett, vol.109, p.181105, 2016.

D. Schikoraj, M. Hankelni, D. J. As, K. Lischka, T. Litz et al., Phys. Rev

B. , , vol.54, p.8381, 1996.

A. Botchkarev, A. Salvador, B. Sverdlov, J. Myoung, and H. Morkoc, J. Appl. Phys, vol.77, p.4455, 1995.

B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery et al., Phys. Rev. B, vol.56, p.7069, 1997.

S. Yoshida, S. Misawa, and S. Gonda, Appl. Phys. Lett, vol.42, p.427, 1983.

Z. Yang, L. K. Li, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett, vol.67, p.1686, 1995.

B. Damilano, N. Grandjean, F. Semond, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett, vol.75, p.962, 1999.

M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massie, Appl. Phys. Lett, vol.72, p.350, 1998.

N. Grandjean, J. Massies, P. Vennéguès, M. Leroux, F. Demangeot et al., J. Appl. Phys, vol.83, p.1379, 1998.

P. K. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-amalric, E. Monroy, L. Nevou et al., J. Appl. Phys, vol.104, p.93501, 2008.

E. Iliopoulos and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett, vol.81, p.295, 2002.

T. D. Moustakas, MRS Communications, vol.6, p.247, 2016.

E. H. Parker, The technology and physics of molecular beam epitaxy, 1985.

. Chapter, Overview on nitrides for ultraviolet emission, vol.39

R. Dujardin, Epitaxie par jets moléculaires de nanostructures isolées de germanium sur silicium, 2006.

F. Tinjod and H. Mariette, Phys. Stat. Sol. (b), vol.241, p.550, 2004.

H. Mariette, C. R. Physique, vol.6, p.23, 2005.

F. Tinjod, Mécanismes de formation des boîtes quantiques semiconductrices, application aux nanostructures II-VI et étude de leurs propriétés optiques, 2003.

J. Tersoff and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett, vol.70, p.2782, 1993.

L. Goldstein, F. Glas, J. Y. Marzin, M. N. Charasse, and G. L. Roux, Appl. Phys. Lett, vol.47, p.1099, 1985.

J. Elsner, M. Haugk, G. Jungnickel, and T. Frauenheim, Solid State Commun, vol.106, p.739, 1998.

N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, M. Mesrine, and M. Laugt, Jpn. J. Appl. Phys, vol.38, p.618, 1999.

C. G. Van-de-walle and J. Neugebauer, Phys. Rev. Lett, vol.88, p.66103, 2002.

B. Damilano, J. Brault, and J. Massies, J. Appl. Phys, vol.118, p.24304, 2015.

Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D Appl. Phys, vol.43, p.354002, 2010.

J. Xie, S. A. Chevtchenko, U. Ozgur, and H. Morkoc, Appl. Phys. Let, vol.90, p.262112, 2007.

M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo et al.,

N. M. Yang, M. Johnson, and . Weyers, Semicond. Sci. Technol, vol.26, p.14036, 2011.

N. Grandjean, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett, vol.69, p.2071, 1996.

N. Grandjean, M. Leroux, M. Laugt, and J. Massies, Appl. Phys. Lett, vol.71, p.240, 1997.

J. Duboz, N. Grandjean, F. Omnès, J. Reverchon, and M. Mosca, Phys. Stat. Sol. (c), vol.2, p.964, 2005.

B. Damilano, J. Brault, and J. Massies, J. Appl. Phys, vol.118, p.24304, 2015.

J. Stangl, V. Hol_y, and G. Bauer, Rev. Mod. Phys, vol.76, p.725, 2004.

J. Aqua, I. Berbezier, L. Favre, T. Frisch, and A. Ronda, Phys. Rep, vol.522, p.59, 2013.

M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil et al., Phys. Rev. B, vol.58, p.13371, 1998.

B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery et al., Phys. Rev. B, vol.56, p.7069, 1997.

M. Korytov, M. Benaissa, J. Brault, T. Huault, T. Neisius et al., Appl. Phys. Lett, vol.94, p.143105, 2009.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, M. Korytov, D. Rosales et al.,

A. Khalfioui, O. Courville, J. Tottereau, B. Massies, and . Gil, Japanese. Journal. of Applied. Physics, pp.5-06, 2016.

T. Huault, J. Brault, F. Natali, B. Damilano, D. Lefebvre et al., Appl. Phys. Lett, vol.92, p.51911, 2008.

J. Brault, T. Huault, F. Natali, B. Damilano, D. Lefebvre et al., J. Appl. Phys, vol.105, p.33519, 2009.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Elmaghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

T. Bretagnon, P. Lefebvre, P. Valvin, R. Bardoux, T. Guillet et al., Phys. Rev. B, vol.73, p.113304, 2006.

T. Bretagnon, S. Kalliakos, P. Lefebvre, P. Valvin, B. Gil et al., Phys. Rev. B, vol.68, p.205301, 2003.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, D. Rosales, M. Leroux et al., Materials Science in Semiconductor Processing, vol.55, p.95, 2016.

F. Natali, D. Byrne, M. Leroux, B. Damilano, F. Semond et al., Phys. Rev. B, vol.71, p.75311, 2005.

N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laugt et al., J. Appl. Phys, vol.86, p.3714, 1999.

F. Natali, Y. Cordier, J. Massies, S. Vézian, B. Damilano et al., Phys. Rev. B, vol.79, p.35328, 2009.

M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, E. Warde et al., Phys. Rev. B, vol.73, p.125347, 2006.

M. Nemoz, R. Dagher, S. Matta, A. Michon, P. Vennéguès et al., J. Cryst. Growth, p.461, 2016.

B. Damilano, N. Grandjean, F. Semond, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett, vol.75, p.962, 1999.

H. Mariette, C. R. Physique, vol.6, p.23, 2005.

S. Vezian, F. Natali, F. Semond, and J. Massies, From spiral growth to kinetic roughening in molecular-beam epitaxy of GaN (0001), Phys. Rev. B, vol.69, p.125329, 2004.

M. Korytov, Quantitative Transmission Electron Microscopy Study of III-Nitride Semiconductor Nanostructures, 2010.

N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, S. Yu, R. A. Karpov et al., Appl. Phys. Lett, vol.74, p.1854, 1999.

J. Brault, D. Rosales, B. Damilano, M. Leroux, A. Courville et al., Semicond. Sci. Technol, vol.29, p.84001, 2014.

Y. Iwata, R. G. Banal, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami, J. Appl. Phys, vol.117, p.75701, 2015.

T. H. Ngo, Optimisation du rendement quantique des dispositifs à base de nitrures opérant le jaune au rouge, 2017.

M. Kneissl, T. Kolbe, C. Chua, V. Kueller, N. Lobo et al.,

N. M. Yang, M. Johnson, and . Weyers, Semicond. Sci. Technol, vol.26, p.14036, 2011.

S. Nitta, Y. Yukawa, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano et al., Phys. Stat. Sol. (a), vol.194, p.485, 2002.

J. Brault, D. Rosales, B. Damilano, M. Leroux, A. Courville et al., Semicond. Sci. Technol, vol.29, p.84001, 2014.

C. Himwas, R. Songmuang, L. S. Dang, J. Bleuse, L. Rapenne et al., Appl. Phys. Lett, vol.101, p.241914, 2012.

C. Himwas, Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette, 2006.

Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature, vol.441, p.325, 2006.

V. N. Jmerik, E. V. Lutsenko, and S. V. Ivanov, Phys. Stat. Sol. (a), vol.210, p.439, 2013.

C. J. Collins, A. V. Sampath, G. A. Garrett, W. L. Sarney, H. Shen et al., Appl. Phys. Lett, vol.86, p.31916, 2005.

M. Gao, S. T. Bradley, Y. Cao, D. Jena, Y. Lin et al., J. Appl. Phys, vol.100, p.103512, 2006.

J. Brault, B. Damilano, A. Kahouli, S. Chenot, M. Leroux et al., J. Cryst. Growth, vol.363, p.282, 2013.

T. Kinoshita, T. Obata, H. Yanagi, and S. Inoue, Appl. Phys. Lett, vol.102, p.12105, 2013.

S. R. Jeon, Z. Ren, G. Cui, J. Su, M. Gherimova et al., Appl. Phys. Lett, vol.86, p.82107, 2005.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, D. Rosales, M. Leroux et al., Materials Science in Semiconductor Processing, vol.55, p.95, 2016.

S. Vézian, F. Natali, F. Semond, and J. Massies, Phys. Rev. B, vol.69, p.125329, 2004.

I. Horcas, R. Fernández, J. M. Gómez-rodríguez, J. Colchero, J. Gómez-herrero et al., Rev. Sci. Instrum, vol.78, p.13705, 2007.

J. Brault, T. Huault, F. Natali, B. Damilano, D. Lefebvre et al., J. Appl. Phys, vol.105, p.33519, 2009.

T. Huault, J. Brault, F. Natali, B. Damilano, D. Lefebvre et al., Appl. Phys. Lett, vol.92, p.51911, 2008.

M. Leroux, S. Dalmasso, F. Natali, S. Helin, C. Touzi et al., Phys. Stat. Sol. (b), vol.234, p.887, 2002.

T. Bretagnon, P. Lefebvre, P. Valvin, R. Bardoux, T. Guillet et al., Phys. Rev. B, vol.73, p.113304, 2006.

. Chapter, Al0.1Ga0.9N quantum dots

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, M. Korytov, D. Rosales et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.55, pp.5-06, 2016.

C. Himwas, M. Hertog, E. Bellet-amalric, R. Songmuang, F. Donatini et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.23502, 2014.

M. Leroux, H. Lahrèche, F. Semond, M. La?gt, E. Feltin et al., Materials Science Forum, vol.353, p.795, 2001.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Elmaghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

T. Bretagnon, S. Kalliakos, P. Lefebvre, P. Valvin, B. Gil et al., Phys. Rev. B, vol.68, p.205301, 2003.

T. Huault, J. Brault, F. Natali, B. Damilano, D. Lefebvre et al., Phys. Status Solidi B, vol.246, issue.4, pp.842-845, 2009.

S. Matta, J. Brault, T. H. Ngo, B. Damilano, M. Korytov et al., J. Appl. Phys, vol.122, p.85706, 2017.

B. Damilano, J. Brault, and J. Massies, J. Appl. Phys, vol.118, p.24304, 2015.

M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond et al., J. Appl. Phys, vol.86, p.3721, 1999.

Y. H. Cho, H. S. Kwack, B. J. Kwon, J. Barjon, J. Brault et al., Appl. Phys. Lett, vol.89, p.251914, 2006.

N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, S. Yu, R. A. Karpov et al., Appl. Phys. Lett, vol.74, p.1854, 1999.

M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett, vol.72, p.350, 1998.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Elmaghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

S. Matta, J. Brault, S. Matta, T. H. Ngo, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.122, p.85706, 2017.

M. Leroux, F. Semond, F. Natali, D. Byrne, F. Cadoret et al., Superlattices and Microstructures, vol.36, pp.659-674, 2004.

B. Damilano, J. Brault, and J. Massies, J. Appl. Phys, vol.118, p.24304, 2015.

C. Himwas, PhD thesis «Nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures pour l'émission ultraviolette», 2006.

C. Himwas, R. Songmuang, L. S. Dang, J. Bleuse, L. Rapenne et al., Appl. Phys. Lett, vol.101, p.241914, 2012.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, M. Korytov, D. Rosales et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.55, pp.5-06, 2016.

J. Brault, D. Rosales, B. Damilano, M. Leroux, A. Courville et al., Semicond. Sci. Technol, vol.29, p.84001, 2014.

Y. Iwata, R. G. Banal, S. Ichikawa, M. Funato, and Y. Kawakami, J. Appl. Phys, vol.117, p.75701, 2015.

M. , UV LED efficiency (last update 19-july-2015, p.6

. Oct, , 2015.

S. Tanaka, J. Lee, P. Ramvall, and H. Okagawa, Jpn. J. Appl. Phys, vol.42, p.885, 2003.

J. Verma, P. K. Kandaswamy, V. Protasenko, A. Verma, H. G. Xing et al., Appl. Phys. Lett, vol.102, p.41103, 2013.

C. Liu, Y. K. Ooi, S. M. Islam, H. Xing, D. Jena et al., Appl. Phys. Lett, vol.112, p.11101, 2018.

X. Rong, X. Wang, S. V. Ivanov, X. Jiang, G. Chen et al.,

V. N. Albrecht, A. A. Jmerik, V. V. Toropov, V. I. Ratnikov, V. P. Kozlovsky et al., Adv. Mater, vol.28, pp.7978-7983, 2016.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, D. Rosales, M. Leroux et al., Mater. Sci. Semicond. Process, vol.55, p.95, 2016.

J. Brault, D. Rosales, B. Damilano, M. Leroux, A. Courville et al., Semicond. Sci. Technol, p.84001, 2014.

J. Brault, B. Damilano, A. Kahouli, S. Chenot, M. Leroux et al., Ultra-violet GaN/Al0.5Ga0.5N quantum dot based light emitting diodes, J. Cryst. Growth, vol.363, p.282, 2013.

T. Bretagnon, S. Kalliakos, P. Lefebvre, P. Valvin, B. Gil et al., Phys. Rev. B, vol.68, p.205301, 2003.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Elmaghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laügt et al., J. Appl. Phys, vol.86, p.3714, 1999.

V. Adivarahan, A. Heidari, B. Zhang, Q. Fareed, M. Islam et al., Appl. Phys. Express, vol.2, p.92102, 2009.

M. Leroux, J. Brault, A. Kahouli, D. Maghraoui, B. Damilano et al., J. Appl. Phys, vol.116, p.34308, 2014.

S. Matta, J. Brault, T. H. Ngo, B. Damilano, M. Korytov et al., J. Appl. Phys, vol.122, p.85706, 2017.

M. Kneissl and J. Rass, III-Nitride Ultraviolet Emitters, Springer Series in Materials Science, vol.227, 2016.

S. W. Lee, D. C. Oh, H. Goto, J. S. Ha, H. J. Lee et al., Appl. Phys. Lett, vol.89, p.132117, 2006.

N. Nepal, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett, vol.87, p.242104, 2005.

M. Leroux, H. Lahrèche, F. Semond, M. La?gt, E. Feltin et al., Materials Science Forum, vol.353, p.795, 2001.

. Chapter, Prototype demonstration of AlyGa1-yN quantum dots based UV LEDs

S. Matta, J. Brault, T. H. Ngo, B. Damilano, M. Leroux et al., Superlattices and Microstructures, vol.114, p.161, 2018.

J. Stangl, V. Holý, and G. Bauer, Rev. Mod. Phys, vol.76, p.725, 2004.

J. Brault, M. Gendry, O. Marty, M. Pitaval, J. Olivares et al., Appl. Surf. Sci, vol.162, p.584, 2000.

J. Brault, B. Damilano, B. Vinter, P. Vennéguès, M. Leroux et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.52, pp.8-9, 2013.

S. Dalmasso, B. Damilano, C. Pernot, A. Dussaigne, D. Byrne et al., phys. stat. sol. (a), vol.192, p.139, 2002.

X. A. Cao, K. Topol, F. Shahedipour-sandvik, J. Teetsov, P. M. Sandvik et al.,

E. B. Kretchmer, S. Stokes, A. E. Arthur, D. Kaloyeros, and . Walker, Proceedings of SPIE, vol.4776, p.105, 2002.

S. Matta, J. Brault, T. Ngo, B. Damilano, J. Massies et al., Photoluminescence properties of (Al,Ga)N nanostructures grown on Al0, vol.114, pp.161-168, 2018.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01700054

J. Brault, M. Khalfioui, S. Matta, B. Damilano, M. Leroux et al., UVA and UVB light emitting diodes with AlyGa1?yN quantum dot active regions covering the 305-335 nm range, vol.33, 2018.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01863551

S. Matta, J. Brault, T. Ngo, B. Damilano, M. Korytov et al., Influence of the heterostructure design on the optical properties of GaN and Al0.1Ga0.9N quantum dots for ultraviolet emission, Journal of Applied Physics, vol.122, 2017.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01579358

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, M. Korytov, D. Rosales et al., Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 2016.

J. Brault, S. Matta, T. Ngo, D. Rosales, M. Leroux et al.,

S. Tendille, P. Chenot, J. De-mierry, B. Massies, and . Gil, Ultraviolet light emitting diodes using III-N quantum dots, Materials Science in Semiconductor Processing, vol.55, pp.95-101, 2016.

M. Leroux, J. Brault, S. Matta, M. Korytov, B. Damilano et al., Optical Properties of Al0.5Ga0.5N/GaN Polar Quantum Dots and UV LEDs made of them, Journal of Crystal Growth, vol.7388977, pp.278-281, 2015.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01579358

Z. Zheng, Y. Li, O. Paul, H. Long, S. Matta et al., Loss analysis in nitride deep ultraviolet planar cavity, vol.12, 2018.

R. Dagher, S. Matta, L. Nguyen, M. Portail, M. Zielinski et al., High temperature annealing and CVD growth of graphene on bulk AlN and AlN templates, vol.214, 2017.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01563258

M. Nemoz, R. Dagher, S. Matta, A. Michon, P. Vennéguès et al., Dislocation densities reduction in MBE-grown AlN thin films by high-temperature annealing, vol.461, pp.10-15, 2017.

J. Zheng, L. Wang, X. Wu, Z. Hao, C. Sun et al., A PMT-like high gain avalanche photodiode based on GaN/AlN periodically stacked structure, vol.109, p.241105, 2016.

S. Contreras, L. Konczewicz, J. Ben-messaoud, H. Peyre, M. Khalfioui et al., High temperature electrical transport study in AlN Si-doped, vol.98, pp.253-258, 2016.