Utilisation des transistors GaN dans les chargeurs de véhicule électrique

Résumé : Le but de cette thèse est de concevoirun chargeur de véhicule électrique avec une fortedensité de puissance car il doit être embarqué dansle véhicule. La thèse se focalise sur le deuxièmeétage du chargeur qui comporte un transformateur.Cet élément représente une part importante du volumetotal du convertisseur.Pour réaliser cela, une nouvelle technologie de transistorsest utilisée : les transistors GaN. Ces composantsinduisent des pertes par commutation plusfaibles que les transistors classiquement utilisés cequi permet d’augmenter la fréquence de découpage.Cette fréquence est un levier pour améliorer la densitéde puissance des convertisseurs. Cependant lafréquence est également responsable de pertes dansd’autres composants comme le transformateur et lesinductances. Pour augmenter efficacement cette densité, la topologie du convertisseur doit être conçuepour réduire les contraintes sur ces composants.La thèse comporte trois parties. Tout d’abord, lecomportement des transistors GaN est évalué etdifférentes topologies sont analysées pour en déduireune structure de chargeur qui minimise les pertesdans le transformateur. Ensuite, un dimensionnementcompact de transformateur est réalisé à l’aide d’uneétude paramétrique et des simulations par élémentsfinis. Enfin, un prototype de ce deuxième étage duchargeur est réalisé et testé pour évaluer ses performanceset son volume
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Thèse
Autre. Université Paris-Saclay, 2018. Français. 〈NNT : 2018SACLC076〉
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Contributeur : Abes Star <>
Soumis le : mercredi 5 décembre 2018 - 16:11:07
Dernière modification le : vendredi 7 décembre 2018 - 01:29:09

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Eléonore Taurou. Utilisation des transistors GaN dans les chargeurs de véhicule électrique. Autre. Université Paris-Saclay, 2018. Français. 〈NNT : 2018SACLC076〉. 〈tel-01945931〉

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