High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology

Abhijeet Dasgupta 1
1 XLIM-SRF - Systèmes RF
XLIM - XLIM : SRF
Résumé : Léevolution des systèmes de télécommunications, liée à une demande sans cesse croissante en termes de débit et de volume de données, se concrétise par le développement de systèmes proposant des bandes passantes très larges, des modulations à très hautes efficacités spectrales, de la flexibilité en puissance et en fréquence d'émission. Par ailleurs, la mise en oeuvre de ces dispositifs doit se faire avec un souci permanent d'économie d'énergie d'où la problématique récurrente de l'amplification de puissance RF qui consiste à allier au mieux rendement, linéarité et bande passante. L'architecture conventionnelle d'une chaîne d'émission RF consiste dans une première étape à réaliser l'opération de modulation-conversion de fréquence (Modulateur IQ) puis dans une deuxième étape l'opération de conversion d'énergie DC-RF (Amplificateur de Puissance), ces deux étapes étant traditionnellement traitées de manière indépendante. L'objectif de ces travaux de thèse est de proposer une approche alternative qui consiste à combiner ces deux opérations dans une seule et même fonction: le modulateur vectoriel de puissance à haute efficacité énergétique. Le coeur du dispositif, conçu en technologie GaN, repose sur un circuit à deux étages de transistors HEMT permettant d'obtenir un gain en puissance variable en régime de saturation. Il est associé à un modulateur de polarisation multi-niveaux spécifique également en technologie GaN. Le dispositif réalisé a permis de générer directement, à une fréquence de 2.5 GHz, une modulation vectorielle 16QAM (100Msymb/s) de puissance moyenne 13 W, de puissance crête 25W avec un rendement global de 40 % et une linéarité mesurée par un EVM à 5% .
Type de document :
Thèse
Electromagnetism. Université de Limoges, 2018. English
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Contributeur : Abhijeet Dasgupta <>
Soumis le : jeudi 9 août 2018 - 09:24:46
Dernière modification le : vendredi 10 août 2018 - 01:07:03

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  • HAL Id : tel-01855976, version 1

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Abhijeet Dasgupta. High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology. Electromagnetism. Université de Limoges, 2018. English. 〈tel-01855976〉

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