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Theses

Etude des mécanismes de formation des contacts ohmiques pour des transistors de puissance sur Nitrure de Gallium

Résumé : Cette thèse s’inscrit dans le cadre du développement d’une filière de transistors de puissance à base de nitrure de Gallium au CEA-LETI. Ces transistors, en particulier les HEMT utilisant l’hétérostructure AlGaN/GaN, présentent des propriétés très utiles pour les applications de puissance. L’essor de cette technologie passe notamment par le développement de contacts ohmiques peu résistifs. Cette thèse a pour objectif d’approfondir la compréhension des mécanismes de formation du contact ohmique sur une structure AlGaN/GaN. Dans un premier temps, une étude thermodynamique sur une dizaine de métaux de transition utilisables comme base de l’empilement métallique du contact a été menée, ce qui a permis de retenir une métallisation Ti/Al. Puis, les différentes réactions physico-chimiques de cet empilement avec des substrats nitrurés ont été étudiées en faisant varier la composition et les températures de recuit de formation du contact ohmique. Enfin, plusieurs études sur structure AlGaN/GaN couplant caractérisations électriques et physico-chimiques ont permis d’identifier des paramètres décisifs pour la réalisation d’un contact ohmique, peu résistif et nécessitant une faible température de recuit.
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01592003
Contributor : Abes Star :  Contact
Submitted on : Friday, September 22, 2017 - 2:15:05 PM
Last modification on : Thursday, June 11, 2020 - 5:04:06 PM

File

BERTRAND_2016_diffusion.pdf
Version validated by the jury (STAR)

Identifiers

  • HAL Id : tel-01592003, version 1

Collections

STAR | CEA | DRT | LETI | CEA-GRE

Citation

Dimitri Bertrand. Etude des mécanismes de formation des contacts ohmiques pour des transistors de puissance sur Nitrure de Gallium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2016. Français. ⟨NNT : 2016GREAI060⟩. ⟨tel-01592003⟩

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