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Theses

Single spin control and readout in silicon coupled quantum dots

Andrea Corna 1
1 LaTEQS - Laboratoire de Transport Electronique Quantique et Supraconductivité
PHELIQS - PHotonique, ELectronique et Ingénierie QuantiqueS : DRF/IRIG/PHELIQS
Résumé : Au cours des dernières années le silicium est apparu comme un matériau hôte prometteur pour les qubits de spin. Grâce à la microélectronique moderne, la technologie du silicium a connu un formidable développement. Réaliser des qubits utilisant la technologie bien établie de fabrication CMOS de semi-conducteurs favoriserait clairement leur intégration à grande échelle.Dans cette thèse nous présentons les travaux effectués dans une perspective des qubits CMOS. En particulier, nous avons abordé les problèmes de confinement des charges et des spins dans les boîtes quantiques, la manipulation des spins et la lecture des charges et des spins.Nous avons exploré les différentes propriétés de confinement de charge et de spin dans des échantillons de tailles et de géométries différentes. Les MOSFETs de taille extrêmement réduites montrent du blocage de Coulomb jusqu'à température ambiante, avec des énergies de charges jusqu'à 200meV. Les dispositifs multi-grilles avec des dimensions géométriques plus grandes ont été utilisés pour confiner les spins et lire leur état par blocage de spin, en réalisant ainsi une conversion spin / charge.La manipulation des spins est réalisée au moyen d'un dipôle électronique induisant la résonance de spin (EDSR). Les deux plus basses vallées de la bande de conduction du silicium sont visibles sous forme de transitions de spin intra et inter-vallées. Nous observons une levée de dégénérescence de vallée d'amplitude 36μeV. La résonance de spin que l'on observe résulte de la géométrie spécifique de l'échantillon, de la physique des vallées et de l'interaction spin-orbite de type Rashba. Des signatures de manipulation cohérente, sous forme d'oscillations de Rabi, ont été mesurées, avec une fréquence de Rabi de 6MHz. Nous discutons également de la lecture rapide des charges et des spins effectuée par réflectométrie dispersive couplée à la grille. Nous montrons comment l'utiliser pour reconstruire le diagramme de stabilité de charge du dispositif et le signal attendu pour un système à double boîte isolé. La tension de polarisation finie modifie la réponse du système et nous l'avons utilisée pour sonder les états excités et leur dynamique.
Document type :
Theses
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01586070
Contributor : Abes Star :  Contact
Submitted on : Tuesday, September 12, 2017 - 2:18:06 PM
Last modification on : Tuesday, May 19, 2020 - 3:04:22 AM
Document(s) archivé(s) le : Wednesday, December 13, 2017 - 5:43:30 PM

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CORNA_2017_diffusion.pdf
Version validated by the jury (STAR)

Identifiers

  • HAL Id : tel-01586070, version 1

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Citation

Andrea Corna. Single spin control and readout in silicon coupled quantum dots. Quantum Physics [quant-ph]. Université Grenoble Alpes, 2017. English. ⟨NNT : 2017GREAY003⟩. ⟨tel-01586070⟩

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