Hybrid InGaAs/SiGe technology platform for CMOS applications

Résumé : Les materiaux à forte mobilité comme l’InGaAs et le SiGe sont considérés comme des candidats potentiels pour remplacer le Si dans les circuits CMOS futurs. De nombreux défis doivent être surmontés pour transformer ce concept en réalité industrielle. Cette thèse couvre les principaux challenges que sont l’intégration de l’InGaAs sur Si, la formation d’oxydes de grille de qualité, la réalisation de régions source/drain auto-alignées de faible résistance, l’architecture des transistors ou encore la co-intégration de ces matériaux dans un procédé de fabrication CMOS.Les solutions envisagées sont proposées en gardant comme ligne directrice l’applicabilité des méthodes pour une production de grande envergure.Le chapitre 2 aborde l’intégration d’InGaAs sur Si par deux méthodes différentes. Le chapitre3 détaille le développement de modules spécifiques à la fabrication de transistors auto-alignés sur InGaAs. Le chapitre 4 couvre la réalisation de différents types de transistors auto-alignés sur InGaAs dans le but d’améliorer leurs performances. Enfin, le chapitre 5 présente trois méthodes différentes pour réaliser des circuits hybrides CMOS à base d’InGaAs et de SiGe.
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Thèse
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2016. English. 〈NNT : 2016GREAT013〉
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Soumis le : jeudi 24 mars 2016 - 16:14:41
Dernière modification le : jeudi 6 juillet 2017 - 09:37:46
Document(s) archivé(s) le : samedi 25 juin 2016 - 14:13:06

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Lukas Czornomaz. Hybrid InGaAs/SiGe technology platform for CMOS applications. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Grenoble Alpes, 2016. English. 〈NNT : 2016GREAT013〉. 〈tel-01293411〉

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