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Theses

Electrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies

Résumé : Ce travail concerne les transistors bipolaires à hétérogène TBH SiGe. En particulier, l'auto-échauffement des transistors unitaires et le couplage thermique avec leurs plus proches voisins périphériques sont caractérisés et modélisés. La rétroaction électrothermique intra- et inter-transistor est largement étudiée. En outre, l’impact des effets thermiques sur la performance de deux circuits analogiques est évalué. L'effet d'autoéchauffement est évalué par des mesures à basse fréquence et des mesures impulsionnelles DC et AC. L'auto-échauffement est diminué de manière significative en utilisant des petites largeurs d'impulsion. Ainsi la dépendance fréquentielle de l’autoéchauffementa été étudiée en utilisant les paramètres H et Y. De nouvelles structures de test ont été fabriqués pour mesurer l'effet de couplage. Les facteurs de couplage thermique ont été extraits à partir de mesures ainsi que par simulations thermiques 3D. Les résultats montrent que le couplage des dispositifs intra est très prononcé. Un nouvel élément du modèle de résistance thermique récursive ainsi que le modèle de couplage thermique a été inclus dans un simulateur de circuit commercial. Une simulation transitoire entièrement couplée d'un oscillateur en anneau de 218 transistors a été effectuée. Ainsi, un retard de porte record de 1.65ps est démontré. À la connaissance des auteurs, c'est le résultat le plus rapide pour une technologie bipolaire. Le rendement thermique d'un amplificateur de puissance à 60GHz réalisé avec un réseau multi-transistor ou avec un transistor à plusieurs doigts est évalué. La performance électrique du transistor multidoigt est dégradée en raison de l'effet de couplage thermique important entre les doigts de l'émetteur. Un bon accord est constaté entre les mesures et les simulations des circuits en utilisant des modèles de transistors avec le réseau de couplage thermique. Enfin, les perspectives sur l'utilisation des résultats sont données.
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01249529
Contributor : Abes Star :  Contact
Submitted on : Monday, January 4, 2016 - 2:10:11 PM
Last modification on : Thursday, June 11, 2020 - 7:18:38 AM
Document(s) archivé(s) le : Thursday, April 7, 2016 - 5:10:42 PM

File

WEISZ_MARIO_2013.pdf
Version validated by the jury (STAR)

Identifiers

  • HAL Id : tel-01249529, version 1

Citation

Mario Weisz. Electrothermal device-to-circuit interactions for half THz SiGe∶C HBT technologies. Other [cond-mat.other]. Université Sciences et Technologies - Bordeaux I, 2013. English. ⟨NNT : 2013BOR14909⟩. ⟨tel-01249529⟩

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