Skip to Main content Skip to Navigation
Theses

Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω

Résumé : Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques du composant. Un balayage en fonction de la fréquence d’excitation conduit à l’extraction de l’impédance thermique. Les résultats de mesures ont été validés par les simulations électriques. Des études complémentaires ont été réalisées pour l’identification des effets de pièges en utilisant différentes méthodes permettant l’extraction de la signature des pièges. La réalisation des modèles non-linéaires est présentée pour les transistors HEMT AlGaN/GaN et InAIN/GaN pour des applications d’amplificateur de puissance dans les bandes de fréquences X et K.
Document type :
Theses
Complete list of metadatas

Cited literature [109 references]  Display  Hide  Download

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01137882
Contributor : Abes Star :  Contact
Submitted on : Tuesday, March 31, 2015 - 4:08:05 PM
Last modification on : Thursday, May 17, 2018 - 3:52:02 AM
Document(s) archivé(s) le : Wednesday, July 1, 2015 - 11:46:09 AM

File

2014LIMO0048.pdf
Version validated by the jury (STAR)

Identifiers

  • HAL Id : tel-01137882, version 1

Collections

Citation

Mustafa Avcu. Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω. Electronique. Université de Limoges, 2014. Français. ⟨NNT : 2014LIMO0048⟩. ⟨tel-01137882⟩

Share

Metrics

Record views

560

Files downloads

4080