heoretical and experimental studies of FD SOI devices performances for sub 32 nm nodes

Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm

Imed Ben Akkez Ben Akkez (1)

1 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

This manuscript presents a theoretical and experimental study carried out on advanced technology the FD SOI MOSFETs (Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET’s). Electrical measurements combined with modeling were performed with an aim of bringing explanations of phenomena related to the dimension reduction in these structures. This work gives an answer of the impact of these aspects on the electrical parameters and on the carriers transport in the channel.

> Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."

Mots clés: COMS; SOI; Caracterisation; Transport; Varibilty; Sub 32 nm

Mots clés: CMOS; SOI; Caractérisation; Sub 32 nm; Transport; Variabilité

Domaines: Autre

Imed Ben Akkez Ben Akkez. Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm. Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENT081⟩. ⟨tel-00870329⟩