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.. De-schottky, énergie incidente entre 20 et 25 keV pour l'échantillon d'UO 2 implanté iode à haute fluence 5x10 15 at.cm -2 et recuit à des températures allant de 25 à 400°C Le disque a été initialement recuit à 1700°C/24h/Ar (H 2 ) avant implantation. Le triangle en couleur jaune foncé correspond à la saturation de piégeage des positons dans les défauts, Figure III.14 : Caractéristiques d'annihilation S (W) moyennes pour des positons d, p.121

.. De-schottky, énergie incidente entre 20 et 25 keV pour l'échantillon d'UO 2 implanté iode à haute fluence 5x10 15 at.cm -2 et recuit à des températures allant de 600 à 1100°C Le disque a été initialement recuit à 1700°C/24h/Ar (H 2 ) avant implantation. Le triangle en couleur jaune foncé correspond à la saturation de piégeage des positons dans les défauts, Figure III.15 : Caractéristiques d'annihilation S (W) moyennes pour des positons d, p.122

.. De-schottky, énergie incidente entre 20 et 25 keV pour l'échantillon d'UO 2 implanté iode à haute fluence 5x10 15 at.cm -2 et recuit à des températures allant de 600 à 1100°C Le disque a été initialement recuit à 1700°C/24h/Ar (H 2 ) avant implantation. Le triangle en couleur jaune foncé correspond à la saturation de piégeage des positons dans les défauts, Figure III.16 : Caractéristiques d'annihilation S (W) moyennes pour des positons d, p.124

I. Figure, RT-900°C) mesurées sur le disque UO 2 implanté en iode à 8 MeV à la fluence de 1×10 13 at.cm -2 . a) et b) S en fonction de l'énergie incidente des positons. b) et d) S en fonction de W. S (resp. W) représente la fraction d'annihilation de paires e+/ede faible (resp. fort) moment cinétique, Evolution de caractéristiques d'annihilation en fonction de la température, p.126

I. Figure, S. De-la-valeur-moyenne-de, /. Ga16, W. , and .. , Ga16 mesurée pour des positons de 6, 12 et 24,5 keV en fonction de la température de recuit pour le disque implanté iode 8 MeV à une fluence 1x10 13 at.cm -2 . L'évolution de S m /S Ga16 et W m /W Ga16 des positons de 6 keV dans le cas de l'implantation iode à la haute fluence, p.127

I. Figure, Rapport concentration atomique sur les dpa induits par les ions krypton d'énergie 3,5 et 4 MeV dans le dioxyde d'uranium respectivement à des fluences de 3x10 16 at.cm -2 et 1x10 15 at.cm -2, p.131

I. Figure, 21 : Caractéristiques d'annihilation des échantillons UO 2 implantés krypton 3, p.5

I. Figure, 22 : Caractéristiques d'annihilation des échantillons d'UO 2 implantés krypton 4

I. Figure, 23 : Caractéristiques d'annihilation des échantillons d'UO 2 implantés krypton 4

I. Figure, Caractéristiques d'annihilation S(W) des échantillons d'UO 2 implantés krypton 4 MeV à deux fluences différentes 5x10 15 et 1x10 16 at.cm -2 et recuit à 1500°C/2h/Ar/H 2 . a) entre 14 et 17 keV. b) Entre 17, p.141

I. Figure, Distribution en profondeur des ions hélium ( 3 He) de 50 keV implantés dans UO 2 à la fluence de 1x10 16 at.cm -2 . Distribution en profondeur des déplacements d'atomes d'oxygène et d'uranium, calculée par SRIM [12, p.152

I. Figure and W. .. De, Caractéristiques d'annihilation de positons dans les deux disques UO 2 implantés hélium 50 keV à une la fluence de 5x10 15 at.cm -2 à deux températures différentes : 77 K et température ambiante. a) S en fonction de l'énergie des positons; b) W en fonction de l'énergie des positons; c) S en fonction, p.154

I. Figure, Profils en profondeur théorique et expérimentaux (77 K et RT) des ions hélium 3 de 50 keV implantés dans UO 2 à la fluence de 5x10 15 at.cm -2, p.155

I. Figure, Courbes de balayages angulaires enregistrées respectivement suivant les axes principaux <111>, <110> et <100> pour le sous-réseau U et les atomes He d'un monocristal UO 2 implanté 2x10 14 at.cm -2 . d, e et f) Projections en sites interstitiels octaédrique (carré rouge) et tétraédrique (carré bleu) dans une structure cubique à faces centrées suivant les trois axes cristallographiques. Les cercles gris et verts hachurés représentent les atomes du réseau. Les mesures de canalisation ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, p.160

I. Figure, Courbes de balayages angulaires enregistrées respectivement suivant les plans principaux (100), (111) et (110) pour le sous-réseau U et les atomes He d'un monocristal UO 2 implanté 2x10 14 at.cm -2 . d, e et f) Projections en sites interstitiels octaédrique (carré rouge) et tétraédrique (carré bleu) dans une structure cubique à faces centrées suivant les trois plans cristallographiques. Les cercles verts hachurés représentent les atomes du réseau. Les mesures de canalisation ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, p.161

I. Figure, Courbes de balayages angulaires réalisées avec des deutons de 950 keV suivant l'axe principal <110> pour le sous-réseau U et les atomes He sur un monocristal UO 2 implanté 1x10 15 at.cm -2, p.162

I. Figure, Courbes de balayages angulaires enregistrées suivant les axes principaux <111>, <110> et <100> pour le sous-réseau U et les atomes He pour un monocristal UO 2 implanté 2x10 14 at.cm -2 . Simulations (lignes continues) ont été réalisées en utilisant l'hypothèse que tous les atomes d'hélium sont positionnés dans les sites octaédriques d'un cristal UO 2 parfait. Les mesures de canalisation et les simulations ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, p.163

I. Figure, <110> et <100> pour le sous-réseau U et les atomes He sur un monocristal UO 2 implanté 2x10 14 at.cm -2 . Les simulations (lignes continues) ont été réalisées en utilisant les valeurs suivantes des paramètres du modèle présenté : f 1 = 3 %; f 2 = 7 %; f 3 = 3 %. Les mesures expérimentales et les simulations ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, Courbes de balayages angulaires enregistrées suivant les axes principaux <111>, p.164

I. Figure, Représentation dans un fragment de plan atomique (110) l'évolution de la position d'hélium dans un site octaédrique suivant la direction <111>. Les trois lettres A, B et C désignent respectivement : atome d'uranium, atome d'oxygène et le site octaédrique, p.166

I. Figure, 12 : a) Evolution du signal hélium en fonction de son positionnement dans le site octaédrique. b) Evolution du signal uranium après déplacement des atomes d'hélium. Les simulations ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, p.166

I. Figure, Courbe de désorption de l'hélium en fonction de la température d'un échantillon UO 2 implanté à une fluence d'hélium de 1x10 15 at.cm -2, p.167

I. Figure, balayages angulaires réalisés suivant l'axe <111> sur des monocristaux implantés hélium 3 d'énergie de 50 keV à la fluence 1x10 15 at.cm -2 . a) tel qu'implanté, b) 200°C, c) 300°C, d) 600°C, e) 700°C et f) 800°C. Les mesures ont été réalisées avec des deutons de 950 keV, p.169

I. Figure, Évolution en fonction de la température de recuit des balayages angulaires réalisés suivant l'axe <110> sur des monocristaux implantés 3 He d'énergie de 50 keV à la fluence 1x10 15 at.cm -2 . a) tel qu'implanté, b) 600°C, c) 700°C et d) 800°C. Les mesures ont été réalisées avec des deutons de 950 keV, p.170

I. Figure, Quantités d'hélium relâchées déduites des mesures de canalisation avec des deutons de 950 keV sur les monocristaux d'UO 2 implantés et recuits à différentes températures, p.170

I. Figure, Courbes de balayages angulaires enregistrées suivant l'axe principal <111> pour le sous-réseau U et les atomes He sur des monocristaux UO 2 implantés 1x10 15 at.cm -2 . a) Non-recuit, b) Recuit à 600°C/1h, c) Recuit à 800°C/30 min. Les mesures de canalisation et les simulations McChasy ont été réalisées avec des deutons de 500 keV, p.172

I. Figure, Courbes de balayage angulaire enregistrées respectivement suivant les axes principaux <111>, <100> et <110> pour les sous-réseaux U et O sur un monocristal UO 2 implanté 1x10 15 at.cm -2 . d, e et f) Projections dans l'espace de la maille cristalline suivant les axes principaux du cristal, p.177

I. Figure, Evolution suivant l'axe <111> du rendement minimum simulé sur les atomes (U, O et He) à Y = 0° en fonction de nombre d'atomes (a) U et (b) O déplacés aléatoirement dans la matrice UO 2, p.180

I. Figure, Evolution suivant l'axe <110> du rendement minimum simulé sur les atomes (U, O et He) à Y = 0° en fonction de nombre d'atomes (a) U et (b) O déplacés, p.180

I. Figure, Evolution suivant l'axe <100> du rendement minimum simulé sur les atomes (U, O et He) à Y = 0° en fonction de nombre d'atomes (a) U et (b) O déplacés, p.180

I. Figure and S. , Profils en profondeur de l'endommagement et de la concentration d'hélium générés dans UO 2 par 3 He 50 keV à une fluence de 1x10 15 at.cm -2 , calculés, p.183

I. Figure and .. De-schottky, WB23) en fonction de l'énergie des positons pour des disques UO 2 implantés 3 He 50 keV à des fluence allant de 1x10 14 at.cm -2 à 1x10 16 at.cm -2 , implanté He 1 MeV à 1x10 17 at.cm -2 et l'échantillon vierge B23. C) Evolution de S en fonction de W. L'ensemble des résultats est normalisé par rapport à la référence B23. Le segment D e-représente l'annihilation des positons dans les défauts, p.184

I. Figure, Ga16 mesurée pour des positons de 6 keV en fonction de la température de recuit pour les disques implantés 3 He 50 keV aux fluences de (a) 6x10 14 at.cm -2 et (b) 1×10 16 at.cm -2 et recuits respectivement entre, p.185

I. S. Figure, W. Schottky, and .. , Ga16 mesurée à 6 keV pour les échantillons UO 2 implantés en 3 He 50 keV à des fluences (a) 6x10 14 at.cm -2 et (b) 1×10 16 at.cm -2 et recuits respectivement entre [RT-1200°C] et [RT-1500°C]. Sur chaque courbe sont représentés le point représentatif du réseau, p.186

I. Figure, Variation de la valeur moyenne de S m /S Ga16 et W m, Ga16 mesurée pour des positons de 6 keV en fonction de la température de recuit pour les disques UO 2

I. Figure, Variation de la valeur moyenne de S m /S Ga16 mesurée pour des positons de 6 keV en fonction de la température de recuit sur des disques : le premier implanté hélium 50 keV à une fluence 5x10 15 at.cm -2 , le deuxième irradié iode 8 MeV à une fluence 1x10 13 at.cm -2 et le troisième pré-irradié iode 8 MeV à une fluence 1x10 13 at.cm -2 et implanté hélium 50 keV à une fluence 5x10 15 at

I. Figure, Ga16 mesurée pour des positons de 6 keV en fonction de la température de recuit pour les disques implantés 3 He 50 keV aux fluences de 6x10 14 at.cm -2 et 1×10 16 at.cm -2 et recuits respectivement entre

I. Figure, Ga16 mesurée pour des positons de 6 keV en fonction de la température de recuit pour les disques irradiés iode 8 MeV à une fluence 1x10 13 at.cm -2 , l'un des deux a été implanté 3 He 50 keV à une fluence 5x10 15 at.cm -2

I. Tableau, Energies de formation de défauts théoriques et expérimentales dans le dioxyde d'uranium en eV. (-) valeurs non-disponibles, p.23

I. Tableau, énergie de Formation (en eV) d'un défaut de Schottky lié et isolé (Sch et ISch respectivement), calculée avec GGA+U [23], p.24

I. Tableau, Température de recuits des défauts et leur énergie d'activation dans l'UO 2 mise en solution, p.31

I. Tableau and G. , Les énergies d'incorporation et de solution (en eV) de l'iode dans différents défauts d'UO 2 stoechiométrique, p.33

I. Tableau, . Oxygène, and .. Dans-les-défauts-de-schottky, Energies en (eV) d'incorporation et de solution du krypton en position interstitielle, dans une lacune d'uranium et d', p.34

I. Tableau, Gamme de température, coefficient pré-exponentiels D 0 et énergie d'activation d'étude de diffusion de l'iode dans UO 2, p.36

I. Tableau, Energies d'incorporation d'hélium calculées avec différentes méthodes dans l'UO 2 pour les différents sites de la structure fluorine : le site d'uranium (V U ), le site d'oxygène (V O ) et le site octaédrique (SIO), p.42

I. Tableau and .. Sio, Barrière d'énergie calculée pour la migration d'hélium entre deux sites interstitiels octaédriques, p.45

I. Tableau, 1 : Sections efficaces de la diffusion du deutérium sur les atomes U, O et He, p.60

I. <. Tableau and .. , Région d'intérêt des signaux uranium et oxygène suivant l'axe, p.75

I. <. Tableau and .. , 3 : Région d'intérêt des signaux uranium et oxygène suivant l'axe, p.75

I. <. Tableau and .. , Région d'intérêt des signaux uranium et oxygène suivant l'axe, p.76

I. 2. Tableau and .. , Vepfit dans les disques polycristallins et l'échantillon monocristallin polis et recuits à 1700°C durant 24 h sous Ar, p.98

I. Tableau, énergie pour laquelle la moitié des PKA d'uranium ont été créés avec une énergie inférieure. 99 % des PKA ont une énergie inférieure à P 99, p.104

I. Tableau, Rapport des concentrations atomiques de I sur les dpa induits par les ions iode d'énergie de 8 MeV à une fluence de 5x10 15 at.cm -2, p.110

I. Tableau, Rapport des concentrations atomiques de Kr sur les dpa induits par les ions krypton d'énergie de 3,5 MeV à une fluence de 3x10 16 at.cm -2, p.110

I. Tableau, Les déplacements par atomes induits et les concentrations atomiques des ions iode dans les zones sondées par des positons de 6, 12 et 24,5 keV, dans le cas de l'implantation à 5x10 15 at.cm -2, p.117

I. Tableau, Température de recuits des défauts dans l'UO 2 [22], p.119