R. Gras, 300 mm Multi Level Air Gap Integration for Edge Interconnect Technologies and Specific High Performance Applications, 2008 International Interconnect Technology Conference, pp.196-198, 2008.
DOI : 10.1109/IITC.2008.4546965
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00398957

J. A. Greenwood1966, J. B. Greenwood, and . Williamson, Contact of Nominally Flat Surfaces, Series A295, pp.300-319, 1966.
DOI : 10.1098/rspa.1966.0242

P. Gueguen2008, L. D. Gueguen, and . Cioccio, Copper direct bonding for 3D integration, 2008 International Interconnect Technology Conference, p.61, 2008.
DOI : 10.1109/IITC.2008.4546926

P. Gueguen, C. Ventosa, and L. D. Cioccio, Physics of direct bonding: Applications to 3D heterogeneous or monolithic integration, Microelectronic Engineering, vol.87, issue.3, 2009.
DOI : 10.1016/j.mee.2009.07.030

P. Gueguen and L. Cioccio, Physics of Direct Metal Bonding: Applications to 3D Integration, Wafer Bonding Conference, p.proc, 2009.

R. L. Henry1956 and . Henry, Project Tinkertoy: a system of mechanized production of electronics based on modular design, IRE Transactions on Production Techniques, pp.1-1, 1956.

R. Hoofman2006 and . Hoofman, Benefits and Trade-offs in Multi-Level Air Gap Integration, Proceedings of the MRS 2006, p.403, 2006.
DOI : 10.1063/1.1787139

C. Hu, R. Rosenberg, and K. Lee, Electromigration path in Cu thin-film lines, Applied Physics Letters, vol.74, issue.20, p.2945
DOI : 10.1063/1.123974

H. Huebner2002 and . Huebner, Face-to-face chip integration with full metal interface, Proceeding of Advanced Metallization Conf Materials Research Soc, p.53, 2002.

C. Huyghbaert2010, J. Huyghebaert, Y. Van-olmen, A. Civale, A. Phommahaxay et al., Cu to Cu interconnect using 3D-TSV and wafer to wafer thermocompression bonding, 2010 IEEE International Interconnect Technology Conference, 2010.
DOI : 10.1109/IITC.2010.5510444

A. Annexe, Evolution des contraintes dans le silicium aminci, p.165

X. Diffraction-des-rayons, 167 A.1.1) Evolution de la contrainte dans le Si en fonction des étapes d'amincissement 167 A.1.2) Impact de l'épaisseur totale enlevée sur les contraintes générées par l'amincissement, 169 A.1.3) Evolution de la contrainte dans un silicium collé et, p.170

B. .. Annexe, Evolution des propriétés mécaniques du silicium aminci, p.177

C. Annexe, Matériau de remplissage pour l'intégration puce à plaque, p.185

C. Figure, Manque de croissance sur les flancs des puces observé par a) profilomètre mécanique et b) profilomètre optique après

. Ce-phénomène-est-dû-principalement-À-la-géométrie-de-l-'empilement, En effet, l'angle abrupt, que fait la puce avec la plaque sur laquelle elle est collée, diminue l'angle solide en cette zone lors du dépôt. De plus, un effet d'écrantage apparait lors du dépôt. L'oxyde déposé au dessus des puces crée, en bord une zone débordante en forme de « chapeau ». Celle-ci joue le rôle d'écran sur les flancs des puces empêchant une bonne et homogène croissance de l'oxyde à ces endroits, schéma descriptif ainsi qu'une image MEB sont représentés en Figure C. 6. Oxydes Module de Young réduit (GPa) Dureté (GPa) Oxyde standard

C. Tableau, Tableau résumant les valeurs de module d'Young réduit et de dureté des différents oxydes étudiés

. Cependant, Young ne permet pas de conclure sur un comportement particulier face à l'amincissement. Des études supplémentaires doivent être réalisées afin de comprendre le comportement de ces différents matériaux face au mécanisme d'amincissement par grinding. La dissipation thermique pourrait être à l'origine de cette différence de comportement. Elle peut être mesurée à l'aide de la technique 3?. Il s'agit d'une mesure dynamique qui permet d'évaluer la conductivité thermique d'un matériau. Elle consiste à déposer sur la surface du matériau étudié une fine bande métallique qui sert d

:. R. Publications, L. Taibi, C. Di-cioccio, M. Chappaz, J. Francou et al., Investigation of stress induced voiding and electromigration phenomena on direct copper bonding interconnects for 3D integration, International Electron Devices Meeting, 2011.

R. Taibi, L. Di-cioccio, C. Chappaz, L. Chapelon, P. Gueguen et al., Full characterization of Cu/Cu Direct bonding for 3D integration200°C direct bonding copper interconnects : electrical results and reliabilityAn Overview of Patterned Metal/Dielectric Surface Bonding: Mechanism, Alignment and CharacterizationLow temperature direct bonding: an attractive technique for heterostructures build-upChip-to-Wafer Technologies for high density 3D integration, IEEE International 3D System Integration Conference Microelectronics reliability Minapad forum, pp.219-225, 2010.

L. Chapelon and . Clavelier, An innovative die to wafer 3D integration scheme : Die to wafer oxide or copper direct bonding with planarised oxide inter-die filling, IEEE International 3D System Integration Conference, 3D IC, pp.1-4, 2009.