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, SUVOS pushes UV LEDs and lasers to shorter wavelengths » 57 A, J. Cryst. Growth, vol.272, pp.227-241, 2004.
, Self-heating effects at high pump currents in deep ultraviolet light-emitting diodes at 324 nm, Self heating effects at high pump currents in deep ultraviolet light emitting diodes at 324 nm, pp.3491-3493, 2002.
DOI : 10.1063/1.1518155
, Deep Ultraviolet AlGaInN-based light emitting diodes on Si(111) and Sapphire » 60 A 280 nm UV LEDs grown on HVPE GaN substrates » Chapitre 2 : Synthèse et caractérisation Sommaire A Synthèse par voie sol-gel de A 3 B 5 O 12 Ga ; RE= Tb ou Ce) sous forme de poudres et de couches minces, B= Al ou, vol.192, pp.286-291287, 2002.
, 119 B Caractérisation des matériaux élaborés par le procédé sol-gel 121 B.1.1 Diffraction des rayons X (DRX), 132 B.1.3 Spectroscopie infrarouge (IR) et en réflexion totale atténuée, p.171
, 213 A.1 Etude des poudres cristallisées, Chapitre, vol.3, p.238
, 265 B.1 Etude des poudres cristallisées, p.276
, 282 C.1 Excitation de la fluorescence, 287 D Conclusion, p.288
, 60 entre autres) sont caractérisés par des énergies d'environ 21500 cm -1 (465 nm) et 29000 cm -1 (345 nm) respectivement. Les trois autres sous-niveaux se situent dans la bande de conduction de la matrice et les énergies qui leur sont attribuées diffèrent selon la méthode utilisée pour les déterminer 32,56,57 . En général, ces trois niveaux sont difficilement différenciables, si bien que l'on observe un signal unique caractéristique de plusieurs transitions situé à une énergie intermédiaire 59, Notons que, dans le cas de l'ion Ce 3+ , les transitions 4f?5d sont toutes permises de spin, pp.230-43478
, « 5d-level energies of Ce 3+ and the crystalline environment. IV. Aluminates and « simple » oxides » 58 « Positions of 4f and 5d energy levels of Ce 3+ in the band gap of CeF3, Luminescence properties of Ceactivated YAG optical ceramic scintillator materials Tb 3+ ?Ce 3+ energy transfer in Tb 3+ :Ce 3+ :YAG single crystals, pp.283-299343, 1985.
, 308 B.1 Le phénomène de luminescence, p.309
, 312 C.1 Configuration électronique des terres rares 312 C.2 Niveaux d'énergie de l'ion, p.314
, 320 D.5.1 Microscopie électronique à transmission, ., p.321
, 326 D.9.1 Principe -montage, EXAFS et traitement du signal, p.329
, 330 E Appareillages utilisés pour les mesures de luminescence 331 E.2 Dispositif incluant la lampe à mercure, Diffusion des rayons X aux petits angles, p.334
, Les autres sont de fréquences différentes en raison de l'effet Raman. L'écart de fréquence étant caractéristique de la molécule, la spectrographie des photons diffusés permet d'analyser le matériau étudié. Plus précisément, ce phénomène, qui résulte d'une interaction lumière-matière, met en jeu différents niveaux d'énergie vibrationnels d'une molécule. Après excitation par la lumière et passage à un niveau de plus haute énergie, le système revient sur le niveau électronique initial, soit sur le niveau vibrationnel de départ, soit un autre niveau vibrationnel. Si le système revient sur le niveau vibrationnel de départ, les photons diffusés ont la même energie que les photons incidents et sont donc à la même fréquence
, Les paramètres d'enregistrement (gain et modulation d'amplitude) sont optimisés pour chaque échantillon. La modulation d'amplitude doit rester inférieure à 1/3 de la largeur du signal le plus fin
, Avant le seuil d'absorption, les photons ne peuvent pas exciter les électrons de la couche de l'atome considéré et par conséquent l'absorption est faible Quand l'énergie des photons incidents (h?) est suffisante (h? > énergie de liaison de l'électron), l'ionisation des couches électroniques profondes (K ou L) de l'atome absorbeur peut se produire. Ceci se traduit donc par une augmentation brutale de l'absorption, définie comme le seuil d'absorption. Les photoélectrons résultants peuvent être rétrodiffusés par les atomes voisins de l'atome absorbeur. Si l'atome absorbeur est isolé, l'absorption décroît tout de suite après le seuil. Dans le cas contraire, la variation de l'absorption se présente, après le seuil
, Cette zone peut s'étendre jusqu'à quelques centaines d'eV après le seuil d'absorption. Elle donne des informations sur l'environnement local de l
, L'anneau de ce synchrotron opère à 2/2.4 GeV sous un courant optimal de 300 mA. Les mesures ont été effectuées sous vide à basse température (sauf pour les films minces) en mode transmission en Deux chambres 334