Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC

Runhua Huang 1
Résumé : Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d’utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être les semi-conducteurs à grand gap tels que le SiC-4H. Grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde, les performances s’améliorent d’année en année. Le laboratoire AMPERE conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en SiC-4 H. Cette thèse s’inscrit dans les projets SiCHT2 et VHVD du laboratoire. Le travail réalisé au cours de cette thèse repose sur la conception la fabrication et la caractérisation électrique de composantes haute tension en SiC-4H. Les paramètres de protection pour la diode bipolaire 6500V sont optimisés à l’aide des simulations à base d'éléments finis. Les paramètres du SiC pour les modèles utilisés pour la simulation sont développés par des travaux précédents. Ensuite, le masque est dessiné. La diode est réalisée chez IBS. La première caractérisation est effectuée avant le recuit post-métallisation en directe et inverse sans passivation finale. Après le recuit post-métallisation la résistance de contact est plus faible. La caractérisation de la tenue en tension a été effectuée à AMPERE puis à l’ISL à très haute tension. A l’aide de simulations à base d'éléments finis, les paramètres tels que la résistance de contact et la durée de vie des porteurs ont été affinés à partir des caractérisations électriques obtenues par l’expérience. Les autres travaux portent sur la conception, les optimisations et les fabrications des diodes 10 kV et transistors 6500 V.
Type de document :
Thèse
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. <NNT : 2011ISAL0096>


https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00708553
Contributeur : Abes Star <>
Soumis le : vendredi 15 juin 2012 - 11:47:55
Dernière modification le : dimanche 18 octobre 2015 - 01:02:39
Document(s) archivé(s) le : dimanche 16 septembre 2012 - 02:35:52

Fichier

these.pdf
Version validée par le jury (STAR)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00708553, version 1

Collections

Citation

Runhua Huang. Conception, suivi de fabrication et caractérisation électrique de composants haute tension en SiC. Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. <NNT : 2011ISAL0096>. <tel-00708553>

Exporter

Partager

Métriques

Consultations de
la notice

506

Téléchargements du document

2797