Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation

Résumé : Le carbure de silicium (SiC) possède plusieurs propriétés exceptionnelles comme une large bande interdite, un champ électrique critique et une vitesse de saturation des porteurs élevée pour remplacer le silicium (Si) dans des domaines de fonctionnement jusque-là inaccessibles avec le Si. Un nombre important de démonstrateurs des composants de puissance en SiC faisant état de performances remarquables ainsi que la disponibilité commerciale des composants en SiC confirment la maturité de la filière SiC et montrent les progrès technologiques réalisés au cours des dernières années. Cependant, il existe peu d’études sur les coefficients d’ionisation du SiC, lesquels sont pourtant indispensables pour prévoir précisément la tenue en tension des composants de puissance en SiC. Ce travail contribue donc à mieux déterminer ces coefficients. Pour cela, un bon nombre de diodes spécialement conçues pour la détermination des coefficients d’ionisation du SiC par la technique OBIC (Optical Beam Induced Current) ont été réalisées sur différents wafers de SiC-4H et de SiC-6H, deux polytypes courant du SiC. Cette technique repose sur un faisceau de laser ultraviolet qui génère des paires électrons-trous dans la zone de charge d’espace d’une diode sous test. La mesure du courant résultant permet d’accéder aux coefficients d’ionisation. A partir des mesures OBIC sur les diodes réalisées, nous avons pu déduire les coefficients pour ces deux polytypes du SiC. Plus particulièrement, les coefficients d’ionisation du SiC-4H sont déterminés dans une large gamme de champ électrique grâce aux mesures sur les différents dopages. Les paramètres des coefficients déterminés dans ce travail peuvent être utilisés en conception de dispositifs haute tension pour prédire plus précisément l’efficacité de leur protection périphérique.
Type de document :
Thèse
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. <NNT : 2011ISAL0044>


https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679281
Contributeur : Abes Star <>
Soumis le : jeudi 15 mars 2012 - 12:27:24
Dernière modification le : mardi 15 décembre 2015 - 01:44:18
Document(s) archivé(s) le : lundi 18 juin 2012 - 16:16:50

Fichier

these.pdf
Version validée par le jury (STAR)

Identifiants

  • HAL Id : tel-00679281, version 1

Collections

Citation

Duy Minh Nguyen. Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation. Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. <NNT : 2011ISAL0044>. <tel-00679281>

Exporter

Partager

Métriques

Consultations de
la notice

789

Téléchargements du document

825