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Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP

Abstract : Fabrication of 40 GBits/s Semi-Insulating Buried Heterostructure (SIBH) electroabsorbtion modulatoirs based on GaInAsP or AlGalnAs grown on InP substrates and buried in Fe doped semi-insultataing InP by Metal-Oganic Vaport Phase Epitaxy (MOVPE) requires the optimization of : MOVPE growth conditions to obtain planarized surface after regrowth on high (> 5 µm)modulatoir stipes in order to allw components fabrication, optimization, of semi-insulating behavior of Fe-doped InP to reach 40 GBits/s and optimization of the regrowth interface between modulator stripe and the semi-insulating InP to allow functionning in reverse polarization. This PhD contributes to the development and the fabrication of components possessing these characteristics with the help of Tertiary-Butyl Chloride (TBCI or (CH3)3CCI) during the MOVPE growth.
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00666985
Contributor : Camille Meyer Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Monday, February 6, 2012 - 4:00:16 PM
Last modification on : Wednesday, April 21, 2021 - 8:34:02 AM
Long-term archiving on: : Monday, May 7, 2012 - 2:25:29 AM

Identifiers

  • HAL Id : tel-00666985, version 1

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Stéphane Gouraud. Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP. Electronique. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2005. Français. ⟨NNT : 2005CLF21576⟩. ⟨tel-00666985⟩

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