Méthodes et Modèles pour une Approche de Dimensionnement Géométrique et Technologique d'un Semi-conducteur de Puissance Intégré. Application à la Conception d'un MOSFET autonome.

Xuan Hoa Nguyen (1)

1 G2ELab - Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble

In the work of this thesis, we have apprehended new tools and new approaches to the design and prototyping of assisted power semiconductor integrated on silicon. To this end, we have identified three major issues: the sensitivity of the electrical characteristics of the power component as a function of the impact of possible dispersion of the technological process, the convergence of technology and trade-offs between the electrical power switch and integrated additional functions monolithically in the power switch, the dynamic performance of power component related to its electronic environment. Then, we proposed and selected methods, approaches and tools best suited for modeling and optimal design to push the current boundaries of these three issues. At the last part of this work, our tools are applied to different dimensions of power MOSFETs.

Dans les travaux de cette thèse, nous avons appréhendé de nouveaux outils et nouvelles démarches pour la conception assisté et au prototypage des semiconducteurs de puissance intégrée sur silicium. Dans cet objectif, nous avons défini trois grandes problématiques :la sensibilité des caractéristiques électriques du composant de puissance en fonction des impacts de dispersion possibles de la filière technologique, la convergence des compromis technologiques et électriques entre l'interrupteur de puissance et les fonctions annexes intégrées monolithiquement au sein de l'interrupteur de puissance, la performance dynamique du composant de puissance en lien avec son environnement électronique. Ensuite, nous avons proposé et choisie des méthodes, des démarches et des outils les plus adaptés pour la modélisation et le dimensionnement optimal afin de repousser les limites actuelles de ces trois problématiques. A la dernier partie de ces travaux, nos outils sont appliqués aux différents dimensionnement de MOSFET de puissance.

Keywords: Filière technologique; MOSFET autonome; Méthodes; Modèles; Dimensionnement géométrique et technologique; Filière technologique.

Domains: Electric power

Xuan Hoa Nguyen. Méthodes et Modèles pour une Approche de Dimensionnement Géométrique et Technologique d'un Semi-conducteur de Puissance Intégré. Application à la Conception d'un MOSFET autonome.. Energie électrique. Université de Grenoble, 2011. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00653551⟩