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Theses

Etude des mécanismes de transport dans les diodes tunnels de type MIS associant ferromagnétiques et silicium

Résumé : L'étude des mécanismes fondamentaux qui contrôlent l'injection des électrons polarisés en spin à partir d'un métal ferromagnétique vers le silicium ainsi que l'interaction entre ces spins et l'aimantation d'une électrode ferromagnétique « collectrice » en spin, constitue le sujet de ce travail de thèse. Cette étude est basée sur l'analyse et la modélisation des caractéristiques électriques obtenues sur une structure « test » composée de deux électrodes ferromagnétiques servant respectivement à injecter et à collecter les électrons polarisés en spin. Une étude approfondie des propriétés électriques de la diode ferromagnétique/isolant/silicium (FMIS) est aussi réalisée. Le renversement sélectif de l'aimantation d'une des deux électrodes et la variation de la (magnéto-) résistance attendue fournissent un outil pour l'étude de l'injection de spins dans le silicium. Ce concept de mémoire magnétique intégrée sur silicium pourrait fournir à terme une solution alternative aux mémoires de type flash qui vont être de plus en plus confrontées au problème de rétention d'information.
Document type :
Theses
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00544391
Contributor : Rabia Benabderrahmane <>
Submitted on : Wednesday, December 8, 2010 - 12:41:21 AM
Last modification on : Thursday, July 16, 2020 - 2:28:02 PM
Document(s) archivé(s) le : Thursday, March 10, 2011 - 11:25:33 AM

Identifiers

  • HAL Id : tel-00544391, version 1

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Citation

Rabia Benabderrahmane. Etude des mécanismes de transport dans les diodes tunnels de type MIS associant ferromagnétiques et silicium. Matière Condensée [cond-mat]. Université Joseph-Fourier - Grenoble I, 2009. Français. ⟨tel-00544391⟩

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