L. Internet, activité 'bruit' du groupe 'Micro-ondes et Optomicro-ondes des Systèmes de Télecommunication' (MOST) du LAAS-CNRS : http

J. Graffeuil and G. Blazquez, Caractérisation des matériaux et des composants semiconducteurs au moyen de mesures de bruit de fond', Acta Electronica, pp.261-279, 1983.

. Van-der-ziel, Theory of Shot Noise in Junction Diodes and Junction Transistors, Proceedings of the IRE, pp.1639-1646, 1955.
DOI : 10.1109/JRPROC.1955.277990

A. L. Mcwhorter, 1/f noise and germanium surface properties, Semiconductor Surface Physics, pp.207-228, 1957.

C. Surya and T. Y. Hsiang, A thermal activation model for 1/f ? noise in Si-MOSFETs', Solid State Electronics, pp.959-959, 1988.

B. Pellegrini, Diffusion, mobility fluctuation, and island models of flicker noise, Physical Review B, vol.26, issue.4, p.4, 1982.
DOI : 10.1103/PhysRevB.26.1791

L. K. Van-damme, X. Li, and D. , 1/f noise in MOS devices, mobility or number fluctuations?, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.41, issue.11, pp.1936-1945, 1994.
DOI : 10.1109/16.333809

L. K. Vandamme and F. N. Hooge, What Do We Certainly Know About <formula formulatype="inline"><tex Notation="TeX">$\hbox{1}/f$</tex> </formula> Noise in MOSTs?, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.55, issue.11, pp.3070-3085, 2008.
DOI : 10.1109/TED.2008.2005167

F. N. Hooge and P. A. Robert, On the correlation function of 1, pp.223-230, 1997.

P. Dutta and P. M. Horn, Low frequency fluctuations in solids: 1/f noise', review of modern physics, pp.3-487, 1981.

R. Plana, Bruit de fond dans les transistors à effet de champ et bipolaires pour microondes, Thèse de l'Université Paul Sabatier, N° d'ordre 93042, 1993.

. Bary, Caractérisation et modélisation du bruit basse-fréquence de composants bipolaires micro-ondes : application à la conception d'oscillateurs à faible bruit de phase, Thèse de l'Université Paul Sabatier, rapport LAAS N°01658, 2001.

L. Bary, M. Borgarino, R. Plana, T. Parra, S. J. Kovacic et al., Transimpedance amplifier-based full low-frequency noise characterization setup for Si/SiGe HBTs, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.48, issue.4, pp.767-773, 2001.
DOI : 10.1109/16.915724

G. Soubercaze-pun, De l'étude en bruit basse fréquence à la conception d'un oscillateur en bande-X à partir de transistors AlGaN, Thèse de l'Université Paul Sabatier, 2007.

J. P. Roux, Etude du bruit de fond dans les transistors bipolaires hyperfréquences à hétérojonctions GaInP, Thèse de l'Université Paul Sabatier, rapport LAAS N°96337, 1996.

O. Llopis, Approche théorique et expérimentale du bruit de phase des oscillateurs micro-ondes', mémoire d'Habilitation à Diriger les Recherches, rapport LAAS N° 00366, 2000.

J. Verdier, Etude et modélisation des transistors à effet de champ micro-ondes à basse température ; application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale, Thèse de l'Université Paul Sabatier, N° ordre 2647, 1997.

M. Régis, Contribution à la conception des oscillateurs micro-ondes à haute pureté spectrale à base de transistors bipolaires silicium et silicium-germanium, Thèse de l'Université Paul Sabatier, N° ordre 3518, 1999.

M. Régis, O. Llopis, B. Van-haaren, R. Plana, A. Gruhle et al., Ultra low phase noise C and X bandbipolar transistors dielectric resonator oscillators, Proc. of the 1998 IEEE Frequency Control Symposium, pp.507-511

O. Llopis, M. Régis, J. Verdier, and J. , Développement d'un banc de mesure du bruit de phase résiduel dans la bande de fréquence 2-18 GHz, Journées Nationales Microondes, pp.628-629, 1997.

L. Escotte, Contribution à la caractérisation et à la modélisation en bruit des composants actifs aux fréquences micro-ondes', document d'Habilitation à Diriger les Recherches, rapport LAAS N°99206, 1999.

G. Dambrine, H. Happy, F. Danneville, and A. Cappy, A new method for on wafer noise measurement, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.41, issue.3, pp.375-381, 1993.
DOI : 10.1109/22.223734

J. G. Tartarin, Caractérisation et modélisation petit-signal et en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction aux fréquences micro-ondes, Thèse de l'Université Paul Sabatier, rapport LAAS N°97545, 1997.

L. Escotte, J. G. Tartarin, and J. , A cost-effective technique for extending the low-frequency range of a microwave noise parameter test set, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, vol.48, issue.4, pp.830-834, 1999.
DOI : 10.1109/19.779184

L. Escotte, R. Plana, J. Rayssac, O. Llopis, and J. , Using cold FET to check accuracy of microwave noise parameter test set', Electronic Letters, pp.833-835, 1991.

G. Cibiel, L. Escotte, and O. Llopis, A Study of the Correlation Between High-Frequency Noise and Phase Noise in Low-Noise Silicon-Based Transistors, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.52, issue.1, pp.1183-190, 2004.
DOI : 10.1109/TMTT.2003.821271

C. Chambon, L. Escotte, S. Gribaldo, and O. Llopis, C-Band noise parameter measurement of microwave amplifiers under nonlinear conditions, IEEE trans. on Microwave Theory and Technique, vol.55, pp.4795-800, 2007.

J. G. Tartarin, L. Escotte, and J. , Small-signal model extraction technique dedicated to noise behaviour of microwave HBTs', GAAS'98 -28 th European Microwave Week, pp.5-6301, 1998.

L. Escotte, J. G. Tartarin, R. Plana, and J. , High-frequency noise in heterojunction bipolar transistors, Solid-State Electronics, vol.42, issue.4, pp.4-661, 1998.
DOI : 10.1016/S0038-1101(97)00290-6

J. G. Tartarin, L. Escotte, and J. , Modélisation en bruit du TBH aux fréquences microondes à partir de son schéma équivalent petit signal, 11èmes Journées Nationales Microondes (JNM'99), pp.5-7, 1999.

M. Borgarino, J. G. Tartarin, R. Plana, S. L. Delage, J. Graffeuil et al., The influence of the emitter orientation on the DC and low frequency noise characteristics of GaInP/GaAs HBTs', GaAs'98 Conference, pp.5-6111, 1998.

M. Borgarino, F. Fantini, R. Plana, J. G. Tartarin, J. Graffeuil et al., Correlation between burn-in effect and emitter orientation in GaInP/GaAs HBTs, 28 th European Solid- State Device Research Conference (ESSDERC'98), pp.8-10, 1998.

M. Borgarino, J. G. Tartarin, S. L. Delage, R. Plana, F. Fantini et al., Correlation between the burn-in effect and the extrinsic base surface quality in C-doped GaInP/GaAs HBTs, IEEE MTT/ED/AP/LEO Societies Joint Chapter United Kingdom and Republic of Ireland Section. 1997 Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications. EDMO (Cat. No.97TH8305), pp.24-25, 1997.
DOI : 10.1109/EDMO.1997.668503

M. Borgarino, R. Plana, J. G. Tartarin, S. L. Delage, H. Blanck et al., On the stability of the DC and RF gain of GaInP/GaAs HBTs, Proceedings of EDMO '96, pp.25-26, 1996.
DOI : 10.1109/EDMO.1996.575794

J. G. Tartarin, L. Escotte, M. Borgarino, R. Plana, and J. , Hydrogen induced degradation in GaInP/GaAs HBTs revealed by low Frequency noise measurementsHydrogen in semiconductors, Material Research Society, pp.181-186, 2004.

A. Chantre, M. Marty, J. L. Regolini, M. Mouis, J. De-pontcharra et al., A highly manufacturable 0.35 µm SiGe HBT technology with 70 GHz fmax, ESSEDERC'98 proceedings, pp.8-10, 1998.

W. E. Ansley, J. D. Cressler, and D. M. Richey, Base-profile optimization for minimum noise figure in advanced UHV/CVD SiGe HBT's, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.46, issue.5, pp.5-653, 1998.
DOI : 10.1109/22.668678

J. G. Tartarin and J. , Optimisation du procédé technologique BiCMOS de STmicroelectronics en vue de l'amélioration des paramètres de bruit aux fréquences micro-ondes des TBH SiGe : rapport 1', rapport LAAS N° 99489, p.38, 1999.

J. G. Tartarin and J. , Optimisation du procédé technologique BiCMOS de STmicroelectronics en vue de l'amélioration des paramètres de bruit aux fréquences micro-ondes des TBH SiGe : rapport 2', rapport LAAS N° 00404, p.34, 2000.

J. Tartarin and G. , Caractérisation et modélisation petit signal et en bruit de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe aux fréquences micro-ondes', rapport LAAS N° 00405, p.48, 2000.

E. Baldini, Technique de modélisation fort-signal pour transistor bipolaire à hétérojonction ? application à la technologie BiCMOS SiGe, 2003.

J. Plana, On the effects of hot carriers on the RF characteristics of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors, IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol.10, issue.11, pp.466-468, 2000.

M. Borgarino, J. Kuchenbecker, J. G. Tartarin, L. Bary, T. Kovacic et al., Hot carrier effects in Si-SiGe HBTs, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol.1, issue.2, pp.86-94, 2001.
DOI : 10.1109/7298.956701

F. Menozzi and J. Fantini, Investigation of the hot-carrier degradation in Si/SiGe HNT's by intrinsic low frequency noise source modelling, pp.15-20, 2001.

J. Kuchenbecker, M. Borgarino, L. Bary, G. Cibiel, O. Llopis et al., Reliability investigations in SiGe HBT's', Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF systems, pp.12-14, 2001.

J. Plana, F. Graffeuil, and . Fantini, Hot carrier effects on the correlation resistance in Si/SiGe heterojunction bipolar transistor, 8th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, pp.13-148, 2000.

J. G. Tartarin, La technologie GaN et ses applications pour l'électronique robuste, haute fréquence et de puissance', revue 'L'actualité Composants du CNES', N°27, 1 er trimestre, pp.18-30, 2008.

Y. Cordier, Filière HEMT AlGaN/GaN sur silicium, Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, 2006.

P. Kung and M. Razeghi, III-Nitride wide bandgap semiconductors: a survey of the current status and future trends of the material and device technology, pp.201-239, 2000.

B. Ozpineci, Comparison of wide-bandgap semiconductors for power electronic applications', Oak Ridge National Laboratory, 2003.

J. G. Tartarin, G. Soubercaze-pun, A. Rennane, L. Bary, S. Delage et al., Low frequency noise of AlGaN/GaN HEMT grown on Al 2 O 3 , Si and SiC substrates, 18 th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF'2005) Noise and Fluctuations, pp.19-23299, 2005.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343434

L. Bary, E. Angeli, A. Rennane, G. Soubercaze-pun, J. G. Tartarin et al., Graffeuil 'Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate', Fluctuation and NoiseNoise in Devices and Circuits II, Proceedings of SPIE, pp.286-295, 2004.

J. G. Tartarin, G. Soubercaze-pun, and C. Gaquière, Low frequency noise in AlGaN/GaN HEMT and RF noise simulation of a transceiver, TARGET short courses on QuickShot Modelling WP2.1.2.2, Vienna, Austria, 4 th february and WP2.1.2.2, pp.14-16, 2005.

J. G. Tartarin, G. Soubercaze-pun, J. L. Grondin, L. Bary, J. Mimila-arroyo et al., Generation-Recombination Defects In AlGaN/GaN HEMT On SiC Substrate, Evidenced By Low Frequency Noise Measurements And SIMS Characterization, AIP Conference Proceedings, pp.9-14, 2007.
DOI : 10.1063/1.2759658
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343422

J. L. Grondin, Caractérisation de la filière GaN à grande bande interdite pour l'électronique hyperfréquence', rapport de Master2 Recherche de l, p.29, 2006.

R. Escotte, S. Plana, C. Delage, and J. Gaquière, Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate, 13 th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS'2005)
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00154917

J. Joh and J. , Mechanisms for Electrical Degradation of GaN High-Electron Mobility Transistors, 2006 International Electron Devices Meeting, p.4, 2006.
DOI : 10.1109/IEDM.2006.346799

R. J. Trew, D. S. Green, and J. B. Shealy, AlGaN/GaN HFET reliability', IEEE Microwave magazine, pp.116-127, 2009.

J. and M. Arroyo, Effect of deuterium diffusion on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures' Material Research Society Symposium, 2005.

G. Astre, Etude de la deutération de dispositifs HEMT AlGaN/GaN', stage Master2 Recherche de l, p.40, 2007.

J. G. Tartarin, G. Astre, L. Bary, J. Chevallier, and S. Delage, Improved robustness of AlGaN/GaN HEMTs using Deuterium to passivate the structural defects, 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, pp.4-7, 2008.
DOI : 10.1109/COMMAD.2008.4802078

G. Astre, J. G. Tartarin, J. Chevallier, and S. Delage, Increased reliability of AlGaN/GaN HEMTs versus temperature using deuterium', European Microwave Week, pp.27-31187, 2008.

G. Soubercaze-pun, Modélisation physique d'un transistor à haute mobilité électronique en technologie GaN', rapport de DEA de l, 2003.

S. Germain and J. Delage, Using low frequency noise characterization of AlGaN/GaN HEMT as a tool for technology assessment and failure prediction' Fluctuation and Noise, Noise in Devices and Circuits II', Proceedings of SPIE, pp.296-306, 2004.

G. Soubercaze-pun, J. G. Tartarin, L. Bary, S. Delage, R. Plana et al., Carrier's transport mechanisms investigations in AlGaN/GaN HEMT thanks to physical modelling and low frequency noise measurements, 12 th Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS'2004), pp.11-12

S. Germain and J. Delage, Low frequency noise and transport mechanisms in AlGaN, GaN HEMT devices', Workshop proccedings on GaN devices, European Microwave Week, GAAS'04, 2004.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00141963

J. I. Lee, J. Brini, A. Chovet, and C. A. Dimitriadis, Flicker noise by random walk of electrons at the interface in nonideal Schottky diodes', Solid-State Electronics, pp.2185-2189, 1999.

J. Graffeuil, J. G. Tartarin, G. Caille, T. Parra, B. Pinte et al., Circuit and method for transmitting or receiving microwaves', rapport LAAS N°98598, pp.17-29, 1999.

J. G. Tartarin, T. Parra, J. Graffeuil, and L. Escotte, Réalisation d'un amplificateur très faible bruit en bande X(VLNA)', Contrat Alcatel N°A08082, p.29, 1998.

J. G. Tartarin, T. Parra, J. Graffeuil, and L. Escotte, Réalisation d'un amplificateur très faible bruit en bande Ku (VLNA) pour un programme multimédia, p.31, 1998.

J. G. Tartarin, T. Parra, J. Graffeuil, and L. Escotte, S-program SKBA-AES-TN-0227 appendix to issue 2' Contrat Alcatel, rapport LAAS 98366, p.18, 1998.

J. G. Tartarin, T. Parra, and J. , Validation des composants actifs utilisés pour la conception de l'amplificateur très faible bruit (VLNA) : transistors FHX13X de Fujitsu en conditionnement puce nue', VLNA, programme 'S' ? issues 1 et 2, p.30, 1998.

. Plana, Etude de faisabilité de circuits avancés pour les télécommunications en technologie silicium germanium (SiGe)', rapport LAAS N°00288, p.47, 2000.

R. Gronmaier, 20GHz Low noise amplifier designed with BiCMOS technology', Report of the Internship for the study of Electrical Engineering at the, p.44, 2002.

R. Fujimoto, K. Kojima, and S. Otaka, A 7-GHz 1.8-dB NF CMOS low-noise amplifier, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.37, issue.7, pp.7-852, 2002.
DOI : 10.1109/JSSC.2002.1015682

C. S. Kim, M. Park, C. Kim, Y. C. Hyeon, H. K. Yu et al., A fully integrated 1.9 GHz CMOS low-noise amplifier, IEEE Microwave end Guided Wave Letters, vol.8, pp.8293-295, 1998.

R. Corbière, B. Louis, and J. G. Tartarin, Nouvelle structure active d'atténuateur variable en bande X, en technologie SiGe', 16 èmes Journées Nationales Microondes 27, 2009.

S. Thuries, E. Tournier, A. Cathelin, S. Godet, and J. , A 6-GHz low-power BiCMOS SiGe:C 0.25 um direct digital synthesizer, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol.18, pp.146-194, 2008.
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00257982

W. Wong, Conception de circuits MMIC BiCMOS SiGe appliqués à la synthèse de fréquence fractionnaire', thèse de l, 2003.

O. Llopis, Approche théorique et expérimentale du bruit de phase des oscillateurs micro-ondes', mémoire d'Habilitation à Diriger les Recherches, 2000.

O. Llopis, J. M. Dienot, J. Verdier, R. Plana, M. Gayral et al., Analytic investigation of frequency sensitivity in microwave oscillators ; application to the computation of phase noise in a dielectric resonator oscillator, Annales des Télécommunications, vol.51, pp.3-4121, 1996.

T. Lee and . Hajimiri, Oscillator phase noise : a tutorial, IEEE Journal Solid-State Circuits, pp.35-326, 2000.

D. B. Leeson, A simple model of feedback oscillator noise spectrum, Proc. IEEE, pp.329-330, 1966.
DOI : 10.1109/PROC.1966.4682

O. Llopis and G. , Phase noise metrology and modelling of microwave transistors. Applications to the design of state of the art dielectric resonator oscillators', Invited Paper, Conference on Noise in Devices and Circuits, pp.2-4
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00998195

K. W. Wong, G. Cibiel, J. G. Tartarin, E. Tournier, R. Plana et al., Llopis, 'X band BiCMOS SiGe 0.35um voltage controlled oscillator in parallel and reflection topology and external phase noise improvement solution, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC'2003), pp.8-10281, 2003.

O. Llopis, J. B. Juraver, M. Regis, M. Chaubet, and J. , Evaluation of two nonstandard techniques for the phase noise characterization at microwave frequencies, IEEE International Frequency Control Symposium and Exhibition, pp.511-515, 2000.

J. Verdier, O. Llopis, R. Plana, and J. , Analysis of noise up-conversion in microwave FET oscillators, IEEE Transactions on Microwave Theory and Technique, vol.44, pp.8-1478, 1996.

M. N. Tutt, D. Pavlidis, B. Khatibzadeh, and B. Bayraktaroglu, The role of baseband noise an dits upconversion in HBT oscillator phase noise, IEEE Trans. On MTT, vol.43, pp.7-1461, 1995.

M. Regis, O. Llopis, and J. , Méthodologie de conception d'oscillateurs à résonateur diélectrique à haute pureté spectrale', Journées Nationales Micro-ondes, Saint- Malo, pp.262-263, 1997.

M. Regis, O. Llopis, B. Van-haaren, R. Plana, A. Gruhle et al., Ultra low phase noise C and X band bipolar transistors dielectric resonator oscillators, Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium (Cat. No.98CH36165), pp.507-511
DOI : 10.1109/FREQ.1998.717946

C. Samori, A fully-integrated low-power low-noise 2.6-GHz bipolar VCO for wireless applications, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol.11, issue.5, pp.199-201, 2001.
DOI : 10.1109/7260.923027

A. M. Pavio and M. A. Smith, A 20--40-GHz Push--Push Dielectric Resonator Oscillator, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.33, issue.12, pp.12-1346, 1985.
DOI : 10.1109/TMTT.1985.1133224

J. G. Tartarin and K. W. Wong, X-band and K-band low-phase-noise VCOs using SiGe BiCMOS technology, Semiconductor Science and Technology, vol.22, issue.1, pp.195-199, 2007.
DOI : 10.1088/0268-1242/22/1/S46

H. Li and H. M. Rein, Millimeter-wave VCOs with wide tuning range and low phase noise, fully integrated in a SiGe bipolar production technology, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.38, pp.1650-1658, 2003.

J. B. Juraver, Modélisation en bruit en régime non-linéaire de transistors micro-ondes

H. Do-ky, M. Stubbs, T. Laneve, C. Glaser, and D. Drolet, Ka-band MMIC voltagecontrolled ocsillators', Asia Pacific Microwave Conference APCM -1997, pp.545-548

H. Zirath, R. Kozhuharov, and M. , ?Balanced colpitt oscillator MMICs designed for ultra-low phase noise', IEEE journal of solid-state circuits, pp.2077-2086, 2005.

M. Bao, Y. Li, and H. Jacobsson, A 25-GHz ultra-low phase noise InGaP/GaAs HBT VCO, pp.751-753, 2005.

H. Veenstra and E. Van-der-jeiden, A 35.2?37.6 GHz LC VCO in a 70/100 GHz SiGe technology, IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Dig, pp.394-395, 2005.

Y. E. Chen, W. L. Kuo, Z. Jin, J. Lee, Y. V. Tretiakov et al., A low-power ka-band Voltage-controlled oscillator implemented in 200-GHz SiGe HBT technology, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.53, issue.5, pp.1672-1681, 2005.
DOI : 10.1109/TMTT.2005.847063

M. Bao, Y. Li, and H. Jacobsson, A 21.5/43GHz dual frequency balanced Colpitts VCO in SiGe technology', 25 th European Solid State Circuits Conference, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.39, pp.1352-1357

M. Sié, High-speed, spurious-free sequential phase frequency detector and dualmodulus prescalers for RF frequency synthesis, IEEE MTTS-Digest, pp.165-168, 2003.

M. Sié, Synthétiseurs de fréquence monolithiques micro-ondes à 10 et 20 GHz en technologies BiCMOS, Thèse de l, 2004.

R. Corbière, Etude et optimisation du cahier des charges d'un convertisseur de fréquence intégré en technologie BiCMOS fonctionnant en bande X', rapport de Master2 Recherche de l, 2006.

C. Viallon, Optimisation de structures différentielles en technologie SiGe pour applications en bande Millimétrique Application à la conception d'un Mélangeur doublement équilibré en bande K', Thèse de l, 2003.

D. C. Streit, A. Gutierrez-aitken, M. Wojtowicz, and R. Lai, The future of compound semiconductors for aerospace and defense applications, IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2005. CSIC '05., p.4, 2005.
DOI : 10.1109/CSICS.2005.1531737

J. G. Tartarin and J. , Graffeuil 'pré-étude prospective de miniaturisation d'équipements hyperfréquences', rapport confidentiel de contrat EADS Launch Vehicles, référence LAAS 02638, p.42, 2002.

S. G. Jeong, S. H. Jeong, J. H. Cha, Y. C. Jeong, and C. D. Kim, A Feedforward Power Amplifier with Loops that can reduce RX Band Noises Signals as well as Intermodulation Signals, 31st European Microwave Conference, 2001, pp.1-4, 2001.
DOI : 10.1109/EUMA.2001.338897

J. Graffeuil, J. G. Tartarin, G. Caille, T. Parra, B. Pinte et al., Circuit and method for receiving or transmitting microwaves', rapport LAAS N°98598, FR) N° EP0957590, FR2778803, WO9960717, 17 Novembre 1999, 29p. accessible sur le site WIPO(world Intellectual Property Organization

J. Tartarin, Noise in transceivers' from Transmitter design for broadband wireless access R2.1.2.3, Quick Shot Annual Report, p.8, 2004.

J. G. Tartarin, G. Soubercaze-pun, and C. Gaquière, Low frequency noise in AlGaN/GaN HEMT and RF noise simulation of a transceiver, TARGET short courses on WP2.1.2.2 and WP2.1.2.3, pp.14-16, 2005.

T. Gee, Suppressing Errors in W-CDMA Mobile Devices' CommsDesign Également sur http, 2001.

C. Chambon, Etude du bruit électrique dans les dispositifs fonctionnant en régime nonlinéaire Application à la conception d'amplificateurs micro-ondes faible bruit, Thèse de l'Université Paul Sabatier, 2007.

A. Greens and Y. Rolain, Noise figure measurements on non-linear devices, IEEE Transactions on Instrumentation and Measurements, vol.50, pp.4971-975, 2001.

M. Cheikh, J. G. Tartarin, J. David, S. Kessler, and A. Morin, Etude de la qualité de transmission radio pour le système de pression pneumatique automobile, 16 èmes Journées Nationales Microondes, pp.27-28, 2009.

M. Cheikh, J. David, J. G. Tartarin, S. Kessler, and A. Morin, ?RF source characterization of tire pressure monitoring system', 39th European Microwave Week, European Wireless Technology Conference EuWiT, pp.28-30, 2009.

M. Cheikh, J. G. Tartarin, J. David, S. Kessler, and A. Morin, An experimental evaluation of the space diversity technique for tire pressure monitoring system at 434 MHz, IEEE Vehicular Technology Society, p.13, 2009.

J. Tartarin, M. Cheikh, J. David, S. Kessler, and A. Morin, Time diversity technique for tire pressure monitoring system', Journal of Automotive Technology, p.6, 2009.