Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm

Résumé : La miniaturisation des composants électroniques qui permet aujourd'hui une intégration à grande échelle a été possible grâce aux innovations des procédés de fabrication. Ces modifications affectent profondément le comportement électrique des transistors MOS lorsque la longueur de grille devient inférieure à 100nm, altérant notre compréhension physique de ce dispositif. Ce travail de thèse se situe dans le domaine de l'étude des performances des transistors fabriqués dans les filières avancées (technologies sub-45nm) et l'analyse de leur réponse électrique. Il propose d'améliorer les méthodologies existantes et apporte de nouvelles techniques d'extraction qui permettent une analyse des paramètres électriques valide dans un environnement industriel, sur des transistors courts. L'utilisation des ces nouvelles techniques permet une compréhension physique plus juste, utile pour prédire les performances des technologies futures.
Type de document :
Thèse
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2009. Français
Liste complète des métadonnées

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00461948
Contributeur : Dominique Fleury <>
Soumis le : lundi 8 mars 2010 - 21:29:13
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:22:05
Document(s) archivé(s) le : mercredi 30 novembre 2016 - 15:13:42

Identifiants

  • HAL Id : tel-00461948, version 1

Collections

Citation

Dominique Fleury. Contribution à l'étude expérimentale du transport dans les transistors de dimensions déca-nanométriques des technologies CMOS sub-45nm. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG, 2009. Français. 〈tel-00461948〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

412

Téléchargements de fichiers

924