Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium - TEL - Thèses en ligne Access content directly
Theses Year : 1972

Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium

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tel-00176339 , version 1 (03-10-2007)

Identifiers

  • HAL Id : tel-00176339 , version 1

Cite

Jean Bodinaud. Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de Bore dans le Silicium. Matériaux. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1972. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00176339⟩
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