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Habilitation à diriger des recherches

Contribution à l'étude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteurs

Résumé : Ce document décrit les résultats de plusieurs études des dislocations dans les semiconducteurs, effectuées au cours de la période 2000-2005. Le premier chapitre se rapporte à la nucléation des dislocations à partir de défauts de surface, le second chapitre à la détermination de diverses propriétés des dislocations en massif. Enfin, le dernier chapitre concerne les dislocations de misfit à l'interface entre Si(001) et SiC.
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00170884
Contributor : Laurent Pizzagalli <>
Submitted on : Monday, September 10, 2007 - 6:30:13 PM
Last modification on : Friday, September 27, 2019 - 4:14:01 PM
Long-term archiving on: : Friday, April 9, 2010 - 1:52:06 AM

Identifiers

  • HAL Id : tel-00170884, version 1

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Laurent Pizzagalli. Contribution à l'étude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteurs. Physique [physics]. Université de Poitiers, 2005. ⟨tel-00170884⟩

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