Fabrication de motifs métalliques et semi-conducteurs co

Résumé : Parmi les objets nanométriques les plus importants figurent les nanofils, qui peuvent
être utilisés soit comme coeur d'un dispositif, soit comme élément d'adressage d'un autre
nano-objet. Cette thèse explore deux voies de fabrication de nanofils.
La première concerne un procédé d'écriture directe de motifs d'or de dimension
nanométrique, par transfert d'atomes depuis une pointe STM vers la surface. Des lignes d'or
de largeur 15 nm, d'épaisseur 3 nm et de longueur 300 nm ont pu être tracées sur une surface
de silicium.
La seconde voie concerne un procédé de fabrication de nanofils de silicium (SiNWs)
par décomposition thermique du silane (SiH4) sur une surface recouverte d'agrégats d'or, par
la technique VLS (Vapor Liquid Solid). Deux moyens de chauffage ont été utilisés pour
forcer la croissance horizontale des fils à partir d'une électrode prédéposée sur une surface
isolante. Dans un premier temps, la surface a été chauffée sous l'impact d'un faisceau laser
continu focalisé, pour induire localement un fort gradient thermique latéral sur une zone de
diamètre 3 μm. Dans un second temps, la croissance des nanofils de Si a été forcée à partir de
lignes de tungstène sub-microniques chauffées par effet Joule, par passage d'un courant de
forte densité.
Les mécanismes de croissance sont discutés.
Type de document :
Thèse
Physique [physics]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 2006. Français
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Contributeur : Hal Cinam <>
Soumis le : mercredi 27 juin 2007 - 10:47:26
Dernière modification le : jeudi 18 janvier 2018 - 01:38:27
Document(s) archivé(s) le : jeudi 8 avril 2010 - 21:48:38

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Hichem Abed. Fabrication de motifs métalliques et semi-conducteurs co. Physique [physics]. Université de la Méditerranée - Aix-Marseille II, 2006. Français. 〈tel-00157846〉

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