Skip to Main content Skip to Navigation
Theses

Nouveaux procédés d'obtention d'oxynitrure de silicium

Résumé : Les techniques d'élaboration du matériau SiN[x], par LPCVD à partir du mélange disilane/ammoniac et par RTCVD à partir du mélange silane/ammoniac, ont été étudiées. L'obtention de films de stoechiométrie SiN[x] quelconque, uniformes en épaisseur et en composition, a ainsi été démontrée et un nouveau matériau, le silicium dopé azote baptisé NIDOS a été mis en évidence. L'étude de l'oxydation thermique du NIDOS a montré un effet de ralentissement de l'oxydation dû à la teneur en azote du film. Nous avons mis en évidence l'interférence des diffusions des espèces oxydantes et des atomes d'azote au cours de l'oxydation. Nous en avons déduit deux méthodes d'obtention d'oxynitrure SiO[x]N[y]: soit par oxydation thermique du NIDOS, soit par recuit de NIDOS déposé sur une couche d'oxyde enterrée. Nous avons enfin étudié la compatibilité du NIDOS avec les impératifs de la technologie silicium (rugosité, résistivité, propriétés de barrière à la diffusion des dopants), puis nous avons démontré la faisabilité de structures métal/oxynitrure/semi-conducteur utilisant une couche isolante oxynitrurée obtenue par oxydation ou recuit de NIDOS. La caractérisation électrique de ces structures a montré d'excellentes qualités isolantes: des champs électriques de claquage de 20 MV/cm et des charges stockées au claquage de 150C/cm[2] ont été mis en évidence
Complete list of metadatas

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00145659
Contributor : Emilie Marchand <>
Submitted on : Friday, May 11, 2007 - 10:39:20 AM
Last modification on : Friday, January 10, 2020 - 9:08:08 PM
Long-term archiving on: : Monday, June 27, 2011 - 3:57:07 PM

Identifiers

  • HAL Id : tel-00145659, version 1

Citation

Pierre Temple-Boyer. Nouveaux procédés d'obtention d'oxynitrure de silicium. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Toulouse, 1995. Français. ⟨tel-00145659⟩

Share

Metrics

Record views

453

Files downloads

235