desétudesdesétudes préliminaires, effectuées sur des agrégats d'or déposés sur substrats de graphite HOPG (voir chapitre 1 ), nous ont permis de privilégier le graphite HOPG comme substrat adaptéadaptéà notré etude. 168 TABLE DES FIGURES Table des figures 1.1 Image en microscopé electroniquè a balayage (MEB) de nanoparticules cubiques d'argent, Science, vol.298, pp.2176-2193, 2002. ,
un réseau ordonné 3D de nanoparticules de FePt de diamètre d'environ 4.5 nm avec une dispersion en ,
un réseau organisé de nano-plots de Co obtenu par lithographie aux ultraviolets extrêmes combinée avec le procédé liftoff, p.23 ,
-organisée des plots de cobalt sur une surface d'or vicinale et reconstruite : (a) Substrat Au(788) montrant les marches monoatomiques; (b) la même surface avec 0.2 monocouche de cobalt, V, p.28 ,
un dépôt en régime LEBCD de 0.5 nm d'agrégats d'or (Au 250 , diamètre ? 2nm) sur un substrat de graphite HOPGàHOPGà température ambiante, p.34 ,
100 nm × 100 nm) de morphologies d'agrégats d'or (Au 750 , diamètre ? 2.9nm) déposés en régime LEBCD, avec différentesdifférentesépaisseursdifférentesépaisseurséquivalentes, sur la face (111) d'un substrat d'oràorà température ambiante. Les images a, b, c correspondentàcorrespondentà desépaisseurs desépaisseurs déposées de 0.01 nm, p.35 ,
Simulations en Dynamique Moléculaire de couches d'agrégats d'or Au 750 (diamètre ? 2.9nm) déposés sur la face (111) d'un substrat d'or, p.36 ,
µm × 1 µm) montrant le piégeage des agrégats d'or par des défauts artificiels aléatoires crées sur graphite HOPG par bombardement d'ions Ar + d'´ energie 1.5 keV suivi d'un recuitàrecuità l'air : Zoom montrant le piégeage des particules en bordure de deux trous voisins, p.39 ,
Réseau de nano-fentes de 70 nm de largeurélaborélargeurélaboré par lithographie ionique de projection (IPL) sur une résine CARL (développée par le groupe Infineon) de 50 nm d'´ epaisseur, H. Loeschner et al. [98]; (b) Vue en perspective d'une structure parabolique réalisée par micro-usinage FIB sur, Images MEB de nanostructures obtenues par lithographie ionique FIB, p.51 ,
un réseau de lignes de largeurégalèlargeurégalè a 8 nm, réalisé par nano-FIB sur une couche de AlF 3 (50 nm)/GaAs, J. Gierak et al, pp.99-53 ,
ionsàionsà métal liquide (LMIS) : (a) Représentation schématique ; (b) Image MEB, p.54 ,
Transport Range of Ion in Matter), montrant la distribution latérale des atomes de carbone pulvérisés après bombardement aléatoire d'un substrat de graphite HOPG de 50 nm d'´ epaisseur par un faisceau d'ions Ga + (30 keV) dont le diamètre du spot est de 8 nmà nmà mi-hauteur : (a) 5000 ions/pt; (b) 50000 ions/pt, p.60 ,
5 µm × 2.5 µm) et profils lignes correspondants des réseaux de défauts de période 300 nm, réalisés sur substrat de graphite HOPG par faisceau d'ions Ga + focalisés d'´ energie 30 keV avec différentes doses I D : (a) I, Images TMAFM, issue.2 ,
substrat de graphite HOPG présentantprésentantà sa surface des réseaux de défauts de période 1000 nm, réalisés par technique nano-FIB. Le trait en pointillés montre un léger décalage du pic D vers les basses fréquences (? 1355 cm ?1 ), p.79 ,
irradiée avec une dose de 10 ions/pt, par l'insertion de deux courbes lorentziennes. Il se présente comme une superposition de deux pics : D 1 ` a 1350 cm ?1 (? ? 9 cm ?1 ) et D 2 ` a 1367 cm ?1 (? ? 14 cm ?1 ), p.82 ,
II), irradiée avec une dose de 5.10 3 ions/pt, par l'insertion de deux courbes lorentziennes. Il se décompose en deux pics : D 1 ` a 1350 cm ?1 (? ? 20 cm ?1 ) et D 2 ` a 1367 cm ?1 (? ? 16 cm ?1 ), p.85 ,
01 nm, diamètre ? 2.9 nm) sur graphite HOPG fonctionnalisé par nano-FIB (période = 300 nm) pour deux doses différentes : I D ? 200 ions/pt [(a) avant recuit, (b) après recuitàrecuità 1000 K)]; I D ? 5.10 3 ions/pt [(c) avant recuit, (d) après recuitàrecuità 1000 K]. On y voit clairement l'amélioration de l'organisation accompagnée de la transition de formes ramifiées vers des formes compactes des??lotsdes?des??lots localisés autour des défauts, p.106 ,
µm × 1 µm) des morphologies de films minces (e = 0,2 nm) obtenus par dépôt de différents types d'agrégats sur HOPGàHOPGà température ambiante : (a) Agrégats d'Ag; (b) Agrégats de Co, Agrégats de CoAg; (d) Agrégats de Pt. . . . . . . . . . . . . 109 ,
Les cercles et les disques correspondent respectivement aux observations expérimentales d'une phase chimiquement ordonnée ou désordonnée, p.112 ,
agrégats Co 50 P t 50 recuits sous UHVàUHVà 650 ? C pendant 2 heures et transformées de Fourier correspondantes : (a) Agrégat vu suivant [001]; (b) et (c) Agrégats vus suivant [110]. Les trois schémas reproduisent l'arrangement des atomes de cobalt et de platine au sein des agrégats observés, p.131 ,
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