29 1.3.1 Prédiction de la robustesse ESD par la simulation, p.34 ,
63 1.3.1.3.a 1 er composant étudié, p.66 ,
76 2.1.2.2.a Modèles de mobilité, p.79 ,
84 2.2.1 Critère de défaillance d'une structure 84 2.2.2 Présentation de la méthode prédictive 86 2.2.2.1 Méthode conventionnelle prédisant le courant I 86 2.2.2.2 Nouvelle méthode de prédiction du courant I, p.89 ,
109 3.1.1.1 Premier composant étudié, ., p.111 ,
113 3.1.1.2.a Description, p.114 ,
116 3.1.2.1 Description, p.119 ,
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Procédure pour un dépôt de brevet avec Freescale semiconductors : pas autorisée à se poursuivre pour l'instant Référence : SC13455ET « Accurate Prediction of the Electrostatic Discharge (ESD) robustness and failure point localization in semiconductor through physical simulation » C. Salaméro, Zécri Soumission d'une revue : Revue IEEE : Transactions on Device and Materials Reliability (TDMR) ,