C. Chang, A. G. Baca, N. Y. Li, P. R. Sharps, H. Q. Hou et al., InGaAsN/AlGaAs P-n-p heterojunction bipolar transistor, Applied Physics Letters, vol.76, issue.19, p.2788, 2000.
DOI : 10.1063/1.126476
URL : http://www.osti.gov/scitech/servlets/purl/14381

L. Chang, . Baca, . Hou, . Monier, . Laroche et al., Device characteristics of the GaAs/InGaAsN/GaAs p-n-p double heterojunction bipolar transistor, IEEE Electron Device Letters, vol.22, issue.3, pp.113-198, 2001.
DOI : 10.1109/55.910612

C. Chang, A. G. Baca, N. Y. Li, X. M. Xie, H. Q. Hou et al., double-heterojunction bipolar transistor, Applied Physics Letters, vol.76, issue.16, p.2262, 2000.
DOI : 10.1063/1.126315

T. Saito, N. Makimoto, and . Kobayashi, MOVPE growth of strained InGaAsN/GaAs quantum wells, Journal of Crystal Growth, vol.195, issue.1-4, p.416, 1998.
DOI : 10.1016/S0022-0248(98)00666-6

S. Francoeur, G. Sivaraman, and Y. , Luminescence of as-grown and thermally annealed GaAsN/GaAs, Applied Physics Letters, vol.72, issue.15, p.1857, 1998.
DOI : 10.1063/1.121206

D. E. Mars, D. I. Babic, Y. Kaneko, Y. L. Chang, S. Subramanya et al., Growth of 1.3 ??m InGaAsN laser material on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol.17, issue.3, p.1272, 1999.
DOI : 10.1116/1.590738

K. Koyama and . Iga-jpn, GINA QW LPMOCVD 570°C 640°C-700°C 5 '-30' in situ Augmente avec la T de recuit, J. Appl. Phys, pp.38-298, 1999.

Z. Pan, T. Miyamoto, D. Schlenker, F. Koyama, and K. , Quality Improvement of GaInNAs/GaAs Quantum Well Growth by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Tertiarybutylarsine, Japanese Journal of Applied Physics, vol.38, issue.Part 1, No. 2B, p.1012, 1999.
DOI : 10.1143/JJAP.38.1012

L. Est-composé-de, Les mesures électriques de transistor étant effectuées par pointe et ne nécessitant pas de thermocompression, j'utilise une épaisseur de 1500Å pour la dernière couche Au afin de faciliter le lift-off (épaisseur totale de contact de, pp.1-1, 1200.

L. Recuit-de-contact-est-effectué-dans-un-four-À-lampe-halogène, Il est effectué sous flux d'argon hydrogéné (l'hydrogène est censé aider la diffusion du contact) après purge de la chambre de recuit: -facultativement: 120°C pendant 5 minutes, pour sécher la surface de l'échantillon. -360°C pendant 2 minutes : étape qui permet de former l'eutectique -420°C pendant 25 secondes

K. D. Murakami, J. M. Childs, A. Baker, and . Callegari, Microstructure studies of AuNiGe Ohmic contacts to n-type GaAs, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol.4, issue.4, p.903, 1986.
DOI : 10.1116/1.583535

C. Shen, G. B. Gao, and H. , Recent developments in ohmic contacts for III???V compound semiconductors, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol.10, issue.5, p.2113, 1992.
DOI : 10.1116/1.586179

. De-travailler-À-haute-température, Al, ce qui doit permettre la détection d'UV émis spécifiquement par une flamme de combustion de gaz domestique, à une longueur d'onde où le dispositif n'est pas perturbé par les sources d'UV parasites (soleil, éclairage, parois chauffées du four?) En revanche, l'absence de substrat à l'accord de maille provoque l'apparition de nombreuses dislocations dans AlGaN

1. La, lateral epitaxial growth" (LEO) qui donne les meilleurs résultats, pp.6-8