Abstract : In this thesis we study the high temperature superconductivity phenomenon on the basis of a mixture of interacting bosons and fermions. The bosons are localized electrons pairs with strong on site repulsion (hard core) and the fermions are constituted by itinerant electrons. Using a diagrammatic approach taking into account the hard core nature of the bosons, we can examine the behavior of the system as a function of doping. We focus on the phase diagram showing its connection with the experimental phase diagram of the high temperature superconductors. The pseudogap opening temperature T*, determined from the appearance of a dip in the électronique density of states, has an opposite variation as a function of doping (given by the total concentration of fermions plus bosons) as compared with the superconducting critical temperature T?. We determine that latter from the energy scale of the phase stiffness connected with the ratio of the charge carriers density and their mass. In this scenario, the increasing of T? with doping is related to the variation of the mass rather then to the variation of the superfluid charge carriers density. We analyze in this context the change-over from the phase- to amplitude-fluctuation driven superconductivity going from low to high doping.
Résumé : Dans cette thèse nous étudions le phénomène de la supraconductivité à haute température critique sur la base d'un modèle d'un gaz de bosons et d'électrons en interaction. Les bosons sont des paires électroniques localisées avec une forte répulsion à courte portée (coeur dur) alors que les fermions sont des électrons itinérants. En utilisant un développement en diagrammes de Feynman qui tient compte des fortes corrélations entre bosons, nous étudions le comportement du système en fonction du dopage. Nous traçons en particulier le diagramme de phase en mettant en évidence ses similitudes avec celui des supraconducteurs à haute température critique. La température d'ouverture du pseudogap T*, déterminée par l'apparition d'un creux dans la densité d'états électronique, varie en fonction du dopage (donné par la concentration totale des bosons plus les fermions) de façon opposée par rapport à la température critique T?. Cette dernière est estimée par l'échelle d'énergie de la rigidité de la phase liée à son tour au rapport entre le nombre de porteurs de charges superfluides et leur masse. L'importante variation de la masse à cause des corrélations électroniques qui deviennent de plus en plus importantes lorsque la concentration des bosons augmente, est responsable de l'augmentation de la température critique avec le dopage. Nous analysons dans ce contexte la transition graduelle entre un mécanisme de fluctuations de phase qui contrôle la supraconductivité pour des faibles dopages et un mécanisme de fluctuations d'amplitude qui détermine la transition vers la phase supraconductrice pour des dopages élevés.