Abstract : During this Ph.D., we studied the influence of a tunnel barrier on coherent transport. The structures presented in this manuscript all contain a tunnel barrier and a superconductor/normal metal (N/S) interface. Andreev reflection takes place at the N/S interface and provides the transformation of a normal current (at one particle) into a superconducting current (at two particles). This leads to the classical proximity effect. We first studied titanium nitride/highly doped silicon contacts. The Schottky barrier at the interface limited the impact of the proximity effect. At low temperature and low voltage, we observed the enhancement of conductance due to the reflectionless tunneling. Quantitative comparison with relevant theories lead us to study heating effect in long superconductor-normal metal-superconductor (SNS) structures. Secondly, we fabricated in clean room and measured at low temperature aluminium-copper-alumina-copper (SNIN) vertical structures in the diffusive regime. This time the tunnel barrier is located in the normal metal, providing a confinement of electrons close to the superconducting interface and enhancing the proximity effect. We observed a reentrance-like behaviour at low energy. By modulating the length of the normal metal between the superconducting interface and the tunnel barrier, we measured the transition from an excess conductance to a tunnel behaviour characteristics of SIN junctions, via the opening of a gap in the normal metal. These two studies show that a tunnel barrier allows the spectroscopy of density of states but can also enlight the importance of coherent transport in mesoscopic structures.
Résumé : Au cours de cette thèse, nous avons étudié l'influence d'une barrière tunnel en transport cohérent. Les structures présentées dans ce manuscrit ont toutes en commun une barrière tunnel et une interface Supraconducteur/métal Normal (S/N). L'interface S/N est le siège de la réflexion d'Andreev qui régit la transformation d'un courant normal (à une particule) en un courant supraconducteur (à deux particules). Ce processus conduit à l'effet de proximité classique. Nous avons tout d'abord étudié des contacts nitrure de titane/silicium fortement dopé. La barrière Schottky présente à l'interface frustre l'effet de proximité. On a pu observer à basse température et faible tension l'augmentation de conductance caractéristique de l'effet tunnel sans réflexion ("reflectionless tunneling"). La comparaison quantitative de nos mesures avec les théories pertinentes nous a conduits à étudier les effets de chauffage dans les structures longues Supraconducteur-métal Normal-Supraconducteur (SNS). Dans un deuxième temps, nous avons fabriqué en salle blanche, puis mesuré à basse température des structures verticales aluminium-cuivre-alumine-cuivre (SNIN) dans le régime diffusif. Cette fois-ci, la barrière tunnel est décalée dans le métal normal, ce qui confine les électrons près de l'interface supraconductrice et augmente l'effet de proximité. Nous avons pu observer un comportement proche de la réentrance à faible énergie. En variant l'épaisseur du métal normal présent entre l'interface supraconductrice et la barrière tunnel, nous avons constaté la transition entre un excès de conductance et l'ouverture d'un gap dans le métal normal, jusqu'à un comportement tunnel caractéristique des jonctions SIN. Ces deux études montrent qu'une barrière tunnel permet non seulement la spectroscopie des densités d'états, mais également de mettre en évidence le transport cohérent dans les structures mésoscopiques.