Enhancement of photocurrent in epitaxial lift-off thin-film GaInNAsSb solar cells due to light-confinement structure - - Institut de recherche et développement sur l'énergie photovoltaïque Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Express Année : 2018

Enhancement of photocurrent in epitaxial lift-off thin-film GaInNAsSb solar cells due to light-confinement structure

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Matériaux Energie électrique Electronique
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Soumis le : mardi 15 janvier 2019-21:48:44

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hal-01972796 , version 1 (15-01-2019)

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Citer

Naoya Miyashita, Benoît Behaghel, Jean-Francois Guillemoles, Yoshitaka Okada. Enhancement of photocurrent in epitaxial lift-off thin-film GaInNAsSb solar cells due to light-confinement structure. Applied Physics Express, 2018, 11 (7), pp.072301. ⟨10.7567/apex.11.072301⟩. ⟨hal-01972796⟩

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