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Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs Buran C. et al IEEE Transactions on Electron Devices 56, 10 (2009) 2186-2192 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00596081

Auteur(s)	C. Buran1, M.G. Pala1, M. Bescond1, M. Dubois2, M. Mouis1
Laboratoire	1 :  IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) – Université Joseph Fourier - Grenoble I – CNRS : UMR5130 – Université de Savoie Minatec-INPG 3 parvis Louis Néel BP 257 38016 GRENOBLE CEDEX 1 France 2 :  TIMA - Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture http://tima.imag.fr/ CNRS : UMR5159 – Université Joseph Fourier - Grenoble I – Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) 46 Av Félix Viallet 38031 GRENOBLE CEDEX 1 France
Domaine	Physique/Matière Condensée/Autre Sciences de l'ingénieur/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Titre	Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs
Langue du texte intégral	Anglais
Date de production, écriture	01/10/2009
Journal	IEEE Transactions on Electron Devices
Audience	internationale
Date de publication	01/10/2009
Volume	56
Numéro	10
Page, identifiant, ...	2186-2192

hal-00596081, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00596081

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00596081

Contributeur : Chahla Domenget <>

Soumis le : Jeudi 26 Mai 2011, 14:39:25

Dernière modification le : Dimanche 10 Février 2013, 23:00:29