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Short view Article in peer-reviewed journal
Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs
Buran C. et al
IEEE Transactions on Electron Devices 56, 10 (2009) 2186-2192 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00596081
C. Buran1, M.G. Pala1, M. Bescond1, M. Dubois2, M. Mouis1
1:  IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
http://imep-lahc.grenoble-inp.fr/
Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG) – Université Joseph Fourier - Grenoble I – CNRS : UMR5130 – Université de Savoie
Minatec-INPG 3 parvis Louis Néel BP 257 38016 GRENOBLE CEDEX 1
France
2:  TIMA - Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture
http://tima.imag.fr/
CNRS : UMR5159 – Université Joseph Fourier - Grenoble I – Institut National Polytechnique de Grenoble (INPG)
46 Av Félix Viallet 38031 GRENOBLE CEDEX 1
France
Physics/Condensed Matter/Other
Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs
English
2009-10-01

IEEE Transactions on Electron Devices
international
2009-10-01
56
10
2186-2192