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Coulomb charging effect of electrons in InAs/InAlAs quantum dots studied by capacitance techniques Hamdaoui N. et al Physica B: Condensed Matter 406, 19 (2011) 3531-3533 - http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00641274

Auteur(s)	N. Hamdaoui, R. Ajjel, B. Salem1, M. Gendry2, H. Maaref
Laboratoire	1 :  LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique CNRS : UMR5129 – Université Joseph Fourier - Grenoble I LETI/DTS 17 rue des martyrs 38054 GRENOBLE CEDEX 9 France 2 :  INL - Institut des nanotechnologies de Lyon - Site d'Ecully CNRS : UMR5270 – Université Claude Bernard - Lyon I – Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Lyon – Ecole Centrale de Lyon bat. 7 36 Av Guy de Collongue - 163 69131 ECULLY CEDEX France
Titre	Coulomb charging effect of electrons in InAs/InAlAs quantum dots studied by capacitance techniques
Langue du texte intégral	Anglais
Journal	Physica B: Condensed Matter
Audience	internationale
Date de publication	2011
Volume	406
Numéro	19
Page, identifiant, ...	3531-3533

hal-00641274, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00641274

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00641274

Contributeur : Marielle Clot <>

Soumis le : Mardi 15 Novembre 2011, 12:08:23

Dernière modification le : Jeudi 22 Mars 2012, 08:58:57