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Fiche détaillée Articles dans des revues avec comité de lecture
Microelectronics Reliability (2009) xx
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
N. Malbert1, A. Curutchet1, C. Sury1, V. Hoel2, J.C. De Jaeger2, N. Defrance2, Y. Douvry2, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier3, J.M. Bluet3, W. Chikhaoui3
1 :  IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
2 :  IEMN - Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie
3 :  INL - Institut des nanotechnologies de Lyon - Site d'Ecully