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Etude de l'épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE par HVPE. Application à la croissance de structure périodiques de faible dimensionnalité Tourret J. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (28/11/2008), Agnès Trassoudaine (Dir.) [tel-00731246 - version 1]

Modélisation du comportement dynamique des électrobroches UGV Gagnol V. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (15/09/2006), Pascal Ray (Dir.) [tel-00695243 - version 1]

Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP Gouraud S. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (27/06/2005), Evelyne Gil-Lafon (Dir.) [tel-00666985 - version 1]