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fulltext access Croissance sélective HVPE et VLS-HVPE d'objets et de structures GaAs à morphologie contrôlée à l'échelle sub-micrométrique et nanométrique
Ramdani M. R. Mr
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (12/03/2010), Evelyne Gil (Dir.) [tel-00719374 - version 1]
fulltext access Etude de l'épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE par HVPE. Application à la croissance de structure périodiques de faible dimensionnalité
Tourret J.
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (28/11/2008), Agnès Trassoudaine (Dir.) [tel-00731246 - version 1]
fulltext access Studies of electronic and sensing properties of epitaxial InP surfaces for applications in gas sensor devices
Wierzbowska K. B.
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (14/12/2007), Pauly, Alain. Bideux, Luc. Adamowicz, Boguslawa (Dir.) [tel-00926562 - version 1]
fulltext access Modélisation du comportement dynamique des électrobroches UGV
Gagnol V.
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (15/09/2006), Pascal Ray (Dir.) [tel-00695243 - version 1]
fulltext access Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP
Gouraud S.
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II (27/06/2005), Evelyne Gil-Lafon (Dir.) [tel-00666985 - version 1]