Selective growth study by tertiary-butyl chloride (TBCl) assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate.

Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP

Stéphane Gouraud (1)

1 LASMEA - Laboratoire des sciences et matériaux pour l'électronique et d'automatique

Fabrication of 40 GBits/s Semi-Insulating Buried Heterostructure (SIBH) electroabsorbtion modulatoirs based on GaInAsP or AlGalnAs grown on InP substrates and buried in Fe doped semi-insultataing InP by Metal-Oganic Vaport Phase Epitaxy (MOVPE) requires the optimization of : MOVPE growth conditions to obtain planarized surface after regrowth on high (> 5 µm)modulatoir stipes in order to allw components fabrication, optimization, of semi-insulating behavior of Fe-doped InP to reach 40 GBits/s and optimization of the regrowth interface between modulator stripe and the semi-insulating InP to allow functionning in reverse polarization. This PhD contributes to the development and the fabrication of components possessing these characteristics with the help of Tertiary-Butyl Chloride (TBCI or (CH3)3CCI) during the MOVPE growth.

La fabrication de modulateurs electroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsP ou D'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVPE) nécessite l'optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes (> 5mum) et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l'InP de confinement dopé Fer (résistivité>10 puissance 8 ohm.cm) pour atteindre le débit de 40 GBits/s et de l'interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l'ajout de Tertio-Butyle de Chlore (TBCl ou (CH3)3CCl) au cours de la croissance par MOVPE.

Mots clés: modulateurs électro-optique

Mots clés: electro-optical modulators

Domaines: Electronique

Stéphane Gouraud. Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP. Electronique. Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II, 2005. Français. ⟨NNT : 2005CLF21576⟩. ⟨tel-00666985⟩