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Institut National Polytechnique de Grenoble - INPG (25/09/2008), LEVEUGLE Régis (Dir.)
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Portes logiques à base de CNTFETs – dispersion des caractéristiques et tolérance aux défauts
T. Dang1

Parmi les nouveaux nano-dispositifs, les CNTFETs sont des candidats prometteurs. Mais les circuits à base de nanotubes auront une probabilité élevée de défectuosité lors de la fabrication et une assez grande dispersion des caractéristiques. Dans ce contexte, cette thèse étudie l'implantation de portes logiques élémentaires à base de CNTFETs. Une comparaison précise de plusieurs structures logiques montre les avantages de la structure complémentaire pour les applications futures. L'influence des variations paramétriques sur les caractéristiques des CNTFETs et des portes logiques complémentaires est ensuite analysée. Une étude synthétique des défauts et fautes transitoires spécifiques aux circuits à base de CNTFETs est présentée. Enfin, une structure logique redondante est proposée pour réduire l'effet des dispersions paramétriques et pour améliorer le rendement de fabrication en tolérant certains défauts.
1:  TIMA - Techniques of Informatics and Microelectronics for integrated systems Architecture
Transistor à base de nanotube de carbone (CNTFET) – portes logiques – dispersion des caractéristiques – structure redondante

CNTFET-based logic gates - characteristic dispersions and defect tolerance
Amongst novel nanodevices, CNTFETs are promising candidates. But circuits based on CNTFETs will have a high probability of manufacturing defects and large characteristic dispersions. In this context, this thesis studies the implementation of CNTFET-based elementary logic gates. A precise comparison of several logic structures shows the advantages of the complementary structure for future applications. The influence of parametric variations on the CNTFET and complementary logic gate characteristics is then analyzed. A synthetic study is presented on the specific defects and transient faults in CNTFET-based circuits. Finally, a redundant logic structure is proposed to reduce the effect of parametric dispersions and to improve the manufacturing yield by tolerating some defects.
Carbon nanotube field effect transistors (CNTFET) – logic gates – characteristic dispersions – redundant structure

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