Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

Servando Baceiredo

Thèse Année : 1981

Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires

(1)

Servando Baceiredo

Fonction : Auteur

Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Résumé

Indisponible

Mots clés

Indisponible

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fichier principal

2360.pdf (3.24 Mo)

Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Anne Bergez : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://theses.hal.science/tel-00178837

Soumis le : vendredi 12 octobre 2007-12:03:52

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Archivage à long terme le : lundi 27 juin 2011-16:02:56

Dates et versions

tel-00178837 , version 1 (12-10-2007)

Identifiants

HAL Id : tel-00178837 , version 1

Citer

Servando Baceiredo. Caractérisation électrique des couches d'AsGa : Ge épitaxiées par la technique des jets moléculaires. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1981. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00178837⟩

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