Contribution à l'étude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteurs

Laurent Pizzagalli (1)

1 LMP - Laboratoire de métallurgie physique

Ce document décrit les résultats de plusieurs études des dislocations dans les semiconducteurs, effectuées au cours de la période 2000-2005. Le premier chapitre se rapporte à la nucléation des dislocations à partir de défauts de surface, le second chapitre à la détermination de diverses propriétés des dislocations en massif. Enfin, le dernier chapitre concerne les dislocations de misfit à l'interface entre Si(001) et SiC.

Mots clés: Dislocations; simulations atomistiques; ab initio; surface; interface; silicium

Domaines: Physique [physics]; Matière Condensée [cond-mat]; Mécanique [physics.med-ph]

Laurent Pizzagalli. Contribution à l'étude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteurs. Physique [physics]. Université de Poitiers, 2005. ⟨tel-00170884⟩