Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

Hugues Granier

Thèse Année : 1995

Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs

(1)

Hugues Granier

Fonction : Auteur
PersonId : 13210
IdHAL : hugues-granier

Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes

Résumé

Pas de résumé en anglais

Mots clés

arséniure de gallium amplification de puissance caractérisations statique et dynamique transistor bipolaire à hétérojonction modélisation électrique gravure ionique réactive épitaxie par jets moléculaires contact ohmique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Fichier principal

Granier.pdf (8.47 Mo)

Emilie Marchand : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://theses.hal.science/tel-00146678

Soumis le : mardi 15 mai 2007-11:18:42

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Archivage à long terme le : lundi 27 juin 2011-15:18:44

Dates et versions

tel-00146678 , version 1 (15-05-2007)

Identifiants

HAL Id : tel-00146678 , version 1

Citer

Hugues Granier. Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 1995. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00146678⟩

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