Qualification of nitride Gallium for Optoelectronic devices: Application for blue Electroluminescent diodes
Qualification des Nitrures de Gallium pour les
Dispositifs Optoélectroniques : Application aux
Diodes Electroluminescentes bleues
Résumé
In this work, we described at first the growth of GaN with treatment Si/N elaborated in high temperature and in atmospheric pressure by Epitaxie in Phase Vapor by pyrolysis of OrganoMétalliques ( MOCVD). This phase of treatment Si/ N, just after the stage of nitruration of the sapphire substrat ( 0001 ), led(inferred) the passage of a mode of growth. This phase of treatment Si/ N, just after the stage of nitruration of the sapphire substrat ( 0001 ), led(inferred) the passage of a mode of growth 3D - 2D as the layer of GaN thickened.
The study of various levels of growth shows an improvement of the morphological, electric, structural and optical quality when the thickness of the layer of GaN increases.
The study of various levels of growth shows an improvement of the morphological, electric, structural and optical quality when the thickness of the layer of GaN increases. Afterward, we appear a systematic study of the doping of type p in GaN by using the magnesium. The evoked parameters are the debit of TMG, the debit of Cp2Mg and the temperature of growth. Once the optimal conditions of GaN:Mg are obtained and having to study the effect of the duration of sending of TMG and the temperature of growth of doped GaN silicon, we realized two types of blue électroluminescentes diodes; the first one typifies on base of a homojonction p/n and the second type with the insertion of five standard quantum wells InGaN.
The study of various levels of growth shows an improvement of the morphological, electric, structural and optical quality when the thickness of the layer of GaN increases.
The study of various levels of growth shows an improvement of the morphological, electric, structural and optical quality when the thickness of the layer of GaN increases. Afterward, we appear a systematic study of the doping of type p in GaN by using the magnesium. The evoked parameters are the debit of TMG, the debit of Cp2Mg and the temperature of growth. Once the optimal conditions of GaN:Mg are obtained and having to study the effect of the duration of sending of TMG and the temperature of growth of doped GaN silicon, we realized two types of blue électroluminescentes diodes; the first one typifies on base of a homojonction p/n and the second type with the insertion of five standard quantum wells InGaN.
Dans ce travail, nous avons décrit dans un premier temps la croissance de GaN
avec traitement Si/N élaboré à haute température et à pression atmosphérique par
Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM). Cette phase
de traitement Si/N, juste après l'étape de nitruration du substrat saphir (0001), induit
le passage d'un mode de croissance 3D-2D à mesure que la couche de GaN s'épaissie.
L'étude de différents niveaux de croissance montre une amélioration de la qualité morphologique,
électrique, structurale et optique lorsque l'épaisseur de la couche de GaN
augmente. Par la suite, nous nous présentons une étude systématique du dopage de type
p dans GaN en utilisant le magnésium. Les paramètres évoqués sont le débit de TMG,
le débit de Cp2Mg et la température de croissance. Une fois les conditions optimales
de GaN:Mg sont obtenues et après avoir étudier l'effet de la durée d'envoi de TMG et
la température de croissance de GaN dopé silicium, nous avons réalisé deux types de
diodes électroluminescentes bleues ; un premier type à base d'une homojonction p/n et
un deuxième type avec l'intercalation de cinq puits quantiques standards InGaN.
avec traitement Si/N élaboré à haute température et à pression atmosphérique par
Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM). Cette phase
de traitement Si/N, juste après l'étape de nitruration du substrat saphir (0001), induit
le passage d'un mode de croissance 3D-2D à mesure que la couche de GaN s'épaissie.
L'étude de différents niveaux de croissance montre une amélioration de la qualité morphologique,
électrique, structurale et optique lorsque l'épaisseur de la couche de GaN
augmente. Par la suite, nous nous présentons une étude systématique du dopage de type
p dans GaN en utilisant le magnésium. Les paramètres évoqués sont le débit de TMG,
le débit de Cp2Mg et la température de croissance. Une fois les conditions optimales
de GaN:Mg sont obtenues et après avoir étudier l'effet de la durée d'envoi de TMG et
la température de croissance de GaN dopé silicium, nous avons réalisé deux types de
diodes électroluminescentes bleues ; un premier type à base d'une homojonction p/n et
un deuxième type avec l'intercalation de cinq puits quantiques standards InGaN.