Elaboration and characterisation of tin-doped indium oxide thin films obtained by solgel
route – Potentiality to obtain transparent electrode on porous silicon
ÉLABORATION ET CARACTERISATION DE FILMS MINCES
D'OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN OBTENUS PAR VOIE SOL-GEL
Potentialité pour la réalisation d'électrodes sur silicium poreux
Résumé
Tin doped indium oxide thin films present a good transparency in the visible range and
important electrical conductivity. In this work we present a study of the performances of
multilayered thin films of ITO obtained through the sol-gel route.
Using transmission electron microscopy (TEM) study, we demonstrate the complexity
of the morphology and structure of such stacked layers. TEM and Rutherford Backscattering
Spectrometry study evidences the correlation between density, crusts at interfaces and
resulting electrical conductivity.
This work renders valid the rapid thermal annealing process for densification and
crystallisation of sol-gel films in comparison with classical thermal process.
We demonstrate the potentiality of the sol-gel route to obtain transparent electrode on
porous silicon (PS). ITO/PS structure with partly photoluminescence preserved has been
studied in term of Schottky diodes.
important electrical conductivity. In this work we present a study of the performances of
multilayered thin films of ITO obtained through the sol-gel route.
Using transmission electron microscopy (TEM) study, we demonstrate the complexity
of the morphology and structure of such stacked layers. TEM and Rutherford Backscattering
Spectrometry study evidences the correlation between density, crusts at interfaces and
resulting electrical conductivity.
This work renders valid the rapid thermal annealing process for densification and
crystallisation of sol-gel films in comparison with classical thermal process.
We demonstrate the potentiality of the sol-gel route to obtain transparent electrode on
porous silicon (PS). ITO/PS structure with partly photoluminescence preserved has been
studied in term of Schottky diodes.
L'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) présente une bonne transparence dans le visible
et une importante conductivité électrique. Ce travail est consacré à l'étude des performances
de films minces multicouches d'ITO obtenus par la voie sol-gel.
La microscopie électronique en transmission (MET) a permis d'analyser morphologie
et structure, et a mis en évidence pour la première fois la structure complexe de tels films solgel.
La MET et l'analyse par rétrodiffusion de particules α ont précisé la corrélation entre la
densité des multicouches, l'apparition de croûtes intermédiaires et la conductivité électrique
résultante.
Ce travail valide l'utilisation du recuit rapide pour la densification des films sol-gel en
comparaison avec un traitement classique.
Nous démontrons la potentialité de la voie sol-gel pour la croissance d'électrodes
d'ITO sur silicium poreux (SP). Les structures ITO/SP, pour lesquelles la photoluminescence
du SP est partiellement préservée, ont été étudiées en terme de diode Schottky.
et une importante conductivité électrique. Ce travail est consacré à l'étude des performances
de films minces multicouches d'ITO obtenus par la voie sol-gel.
La microscopie électronique en transmission (MET) a permis d'analyser morphologie
et structure, et a mis en évidence pour la première fois la structure complexe de tels films solgel.
La MET et l'analyse par rétrodiffusion de particules α ont précisé la corrélation entre la
densité des multicouches, l'apparition de croûtes intermédiaires et la conductivité électrique
résultante.
Ce travail valide l'utilisation du recuit rapide pour la densification des films sol-gel en
comparaison avec un traitement classique.
Nous démontrons la potentialité de la voie sol-gel pour la croissance d'électrodes
d'ITO sur silicium poreux (SP). Les structures ITO/SP, pour lesquelles la photoluminescence
du SP est partiellement préservée, ont été étudiées en terme de diode Schottky.
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